[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410370983.8 | 申請日： | 2014-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN104091869B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡棄疾;苗振林;汪延明 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 馬佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：
電流擴展層；
外延層，位于所述電流擴展層之下；
圖形化藍寶石襯底，位于所述外延層之下，其中所述圖形化藍寶石襯底具有上表面和下表面，所述上表面靠近所述外延層；以及
分布式布拉格反射層，覆蓋所述圖形化藍寶石襯底的所述下表面。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述圖形化藍寶石襯底是通過感應耦合等離子刻蝕方法對藍寶石襯底進行刻蝕形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述圖形化藍寶石襯底的圖形為圓錐形。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述分布式布拉格反射層是通過真空鍍膜技術(shù)在所述圖形化藍寶石襯底的所述下表面交替排列不同氧化物層所形成。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述不同氧化物層為二氧化硅層和二氧化鈦層，共計20～40層。
6.一種發(fā)光二極管芯片制作方法，其特征在于，包括：
提供藍寶石襯底，其中所述藍寶石襯底具有上表面和下表面；
在所述藍寶石襯底的所述上表面上形成外延層；
在所述外延層之上形成電流擴展層；
對所述藍寶石襯底的所述下表面進行刻蝕形成圖形化藍寶石襯底；以及
形成分布式布拉格反射層，用以覆蓋所述圖形化藍寶石襯底的下表面。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片制作方法，其特征在于，通過感應耦合等離子刻蝕方法對所述藍寶石襯底進行刻蝕形成所述圖形化藍寶石襯底。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片制作方法，其特征在于，所述圖形化藍寶石襯底的圖形為圓錐形。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管芯片制作方法，其特征在于，通過真空鍍膜技術(shù)在所述圖形化藍寶石襯底的所述下表面交替排列不同氧化物層形成所述分布式布拉格反射層。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片制作方法，其特征在于，所述不同氧化物層為二氧化硅層和二氧化鈦層，共計20～40層。
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