[發(fā)明專利]一種透射電鏡樣品的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410370914.7 | 申請日： | 2014-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN104122130B | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 透射 樣品 制備 方法 | ||
1.一種透射電鏡樣品的制備方法，所述透射電鏡樣品至少包括硅襯底和絕緣層，所述絕緣層具有目標(biāo)結(jié)構(gòu)，所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)為通孔或者溝槽，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S01：在所述樣品表面以及所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)內(nèi)壁上沉積一層金屬導(dǎo)電層；
步驟S02：在聚焦離子束系統(tǒng)中，使用離子束將所述金屬導(dǎo)電層和所述硅襯底先打孔(7)連通，并通過離子束含有的鎵導(dǎo)通，然后再將硅襯底接地；
步驟S03：在所述樣品的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)部位沉積一層金屬保護(hù)層，所述金屬保護(hù)層至少能覆蓋所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)在所述樣品表面所在平面上的投影，且所述孔(7)的所在部位在所述金屬保護(hù)層的區(qū)域之外；
步驟S04：完成所述樣品的切割和提取流程。
2.如權(quán)利要求1所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，步驟S01中所采用的沉積方法是通過鍍金機(jī)采用物理沉積Pt或Au形成一層所述金屬導(dǎo)電層的方法。
3.如權(quán)利要求2所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，所述金屬導(dǎo)電層的厚度為90～110埃。
4.如權(quán)利要求1所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，所述樣品是直接放置在聚焦離子束系統(tǒng)的樣品臺上的，所述硅襯底通過所述樣品臺接地。
5.如權(quán)利要求1所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，步驟S02中所述孔位于所述樣品上的所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)旁邊且沉積有所述金屬導(dǎo)電層部位，所述孔從所述金屬導(dǎo)電層延伸至所述硅襯底內(nèi)部。
6.如權(quán)利要求5所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，所述孔(7)在所述硅襯底內(nèi)部的深度為3～10μm。
7.如權(quán)利要求6所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，所述孔(7)在所述硅襯底內(nèi)部的深度采用經(jīng)驗(yàn)參數(shù)的方法控制，所述經(jīng)驗(yàn)參數(shù)的方法是在同一規(guī)格的樣品上，用不同的離子束電流、不同的時間打孔，然后切斷面確認(rèn)所述孔(7)的深度，并記錄所述孔(7)的深度與所述離子束電流和所述時間之間的關(guān)系。
8.如權(quán)利要求1或5或6或7所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，所述孔(7)的軸線垂直于所述樣品表面。
9.如權(quán)利要求1所述的透射電鏡樣品的制備方法，其特征在于，步驟S03中所述沉積方法是使用聚焦離子束系統(tǒng)，只在所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)在所述樣品表面所在平面上的投影區(qū)域的所述金屬導(dǎo)電層表面沉積一層所述金屬保護(hù)層的方法。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410370914.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
