[發(fā)明專利]微波功率分配器、合成器以及分配合成器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410369985.5 | 申請日: | 2014-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN104167585A | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 常超;郭樂田;孫鈞;肖仁珍;武曉龍 | 申請(專利權)人: | 西北核技術研究所 |
| 主分類號: | H01P5/16 | 分類號: | H01P5/16 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 710000 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微波 功率 分配器 合成器 以及 分配 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及微波處理技術領域,具體而言,涉及一種微波功率分配器、微波功率合成器以及一種微波功率分配合成器。
背景技術
高功率微波(HPM)一般是指頻率在300MHz到300GHz,脈沖功率超過100MW或平均功率在1MW的電磁輻射。HPM系統(tǒng)是該相干電磁輻射產生、傳輸以及發(fā)射系統(tǒng)。主要應用包括:(1)通過電子回旋共振機制對受控熱核等離子體加熱;(2)用于高功率短脈沖雷達,實現(xiàn)較寬頻帶下精確分辨被探測和跟蹤的目標;(3)為地球和太空之間傳輸能量;為宇宙飛船發(fā)射到太空軌道或者軌道之間變換提供能量;(4)用于高能粒子射頻加速器,進行高能物理、核物理科學研究;(5)用于HPM定向能武器。高功率容量的微波具有高的電磁場能量密度,高幅度的電磁場容易在傳輸和發(fā)射系統(tǒng)發(fā)生微波擊穿,更具體地講,是微波觸發(fā)的等離子體雪崩。
考慮到擊穿限制和微波源的成本,微波源的輸出功率總是有限的。高功率容量的微波合成器實現(xiàn)不同微波源輸出功率的合成,提高了傳輸和發(fā)射功率,而并不增加微波源的壓力。同時,多路微波共用一部天線輻射,能減少天線數(shù)量。
近些年來國際上公開發(fā)表的高功率容量的微波合成器中,典型的有耦合兩個正交極化的TE11模式到同一波導中的合成器,通過過模矩形波導耦合兩個比較靠近頻率的高功率拍波合成器,以及基于過模圓波導濾波器結構的合成器,但是上述幾種合成器均存在共同缺點,即體積龐大而功率容量卻有限,不同端口之間的隔離度難以得到保障,反射系數(shù)又較高,對微波合成造成諸多不良影響。
發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是,提高波導微波合成過程中的功率容量,并保證較高的隔離度,以及降低反射系數(shù),提高微波合成的效果。
為此目的,本發(fā)明提出了一種微波功率分配器,包括:第一圓波導,與第三圓波導相連,用于接收微波,并將所述微波傳輸至所述第三圓波導;第二圓波導,與所述第三圓波導相連,并維持短路狀態(tài);所述第三圓波導,與第一矩波導、第二矩波導和第三矩波導分別相連,用于將接收到的微波轉換為功率相等、相位相同的兩束微波,分別傳輸至所述第一矩波導和所述第二矩波導;其中,所述第一圓波導、第二圓波導和第三圓波導為TM01模式圓波導,所述第一圓波導、第二圓波導和第三圓波導共軸線,所述第一矩波導、第二矩波導和第三矩波導為TE10模式矩波導,所述第一矩波導、第二矩波導和第三矩波導之間夾角均為120°,且所述第三矩波導維持短路狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述第一圓波導的半徑為15mm,高度大于30mm。
優(yōu)選地,所述第二圓波導的半徑為20mm,高度為10mm。
優(yōu)選地,所述第三圓波導與所述第一矩波導、第二矩波導和第三矩波導的高度相同,且半徑為26mm。
優(yōu)選地,所述第一矩波導、第二矩波導和第三矩波導的長度為31.3mm,寬度為15.5mm,所述第三矩波導的短路面距離所述第三圓波導的軸線28mm。
優(yōu)選地,所述第一圓波導與所述第三圓波導之間的倒角半徑為8mm,所述第二圓波導與所述第三圓波導之間的倒角半徑為5mm,所述第一矩波導、第二矩波導和第三矩波導與所述第三圓波導之間的倒角半徑均為2mm。
本發(fā)明還提出了一種微波功率合成器,包括:第四圓波導,與第六圓波導相連,用于輸出來自所述第六圓波導的微波;第五圓波導,與所述第六圓波導相連,并維持短路狀態(tài);所述第六圓波導,與第五矩波導、第六矩波導、第七矩波導和第八矩波導分別相連,用于接收來自第五矩波導、第六矩波導、第七矩波導和第八矩波導的四束功率相等、相位相同的TE10模式微波,所述四束TE10模式微波激勵得到幅值相等、相位相反的四束TE11模式微波,所述四束TE11模式微波相消,并激勵得到幅值相等、相位相同的兩束TM01模式微波,所述兩束TM01模式微波相疊加,得到一束TM01模式微波,將疊加得到TM01模式微波發(fā)送至所述第四圓波導;其中,所述第四圓波導、第五圓波導和第六圓波導為TM01模式圓波導,所述第四圓波導、第五圓波導和第六圓波導共軸線,且第五矩波導、第六矩波導、第七矩波導和第八矩波導為TE10模式矩波導,所述第五矩波導、第六矩波導、第七矩波導和第八圓波導之間夾角均為90°。
優(yōu)選地,所述第四圓波導的半徑為16.2mm,高度大于30mm。
優(yōu)選地,所述第五圓波導的半徑為23mm,高度為13mm。
優(yōu)選地,所述第六圓波導與所述第五矩波導、第六矩波導、第七矩波導和第八矩波導的高度相同,且半徑為28mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西北核技術研究所,未經西北核技術研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410369985.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





