[發(fā)明專利]一種增強型MIS結構AlGaN/GaN異質結場效應晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410369885.2
• 申請日: 2014-07-30
• 公開（公告）號: CN104167441B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設計）人: 段寶興;袁嵩;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司61211
• 代理人: 胡樂

1.一種增強型MIS結構AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，包括半絕緣襯底、緩沖層、GaN層、AlGaN層、源極、柵極、漏極以及柵介質層，AlGaN與GaN界面處形成很薄的2DEG，源極和漏極均通過歐姆接觸與GaN層、AlGaN層相連；其特征在于：

所述GaN層在靠近電極一側有一部分區(qū)域為P型摻雜GaN，對應于自源極至部分柵極所覆蓋的區(qū)域，P型摻雜GaN與2DEG為直接接觸，滿足在柵壓為零時P型摻雜GaN與2DEG界面處勢壘的阻擋作用使器件關斷，在柵極加電正壓時遂穿導通。

2.根據(jù)權利要求1所述的增強型MIS結構AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述半絕緣襯底的材料為硅或碳化硅，或所述半絕緣襯底替換為藍寶石襯底。

3.根據(jù)權利要求1所述的增強型MIS結構AlGaN/GaN異質結場效應晶體管，其特征在于：所述GaN層具有N型電阻特性或半絕緣特性。