[發(fā)明專利]一種基于壓曲放大的引信安保裝置用V型MEMS執(zhí)行器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410369768.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104154828A | 公開(公告)日: | 2014-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙玉龍;李秀源;胡騰江;徐文舉;白穎偉;任煒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | F42C15/00 | 分類號(hào): | F42C15/00 |
| 代理公司: | 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人: | 賀建斌 |
| 地址: | 710049*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 放大 引信 安保 裝置 mems 執(zhí)行 | ||
1.一種基于壓曲放大的引信安保裝置用V型MEMS執(zhí)行器,其特征在于:
包括單晶硅襯底(1),單晶硅襯底(1)上制作有直徑為150~180um的加速膛孔(5),加速膛孔(5)是飛片材料的通道,二氧化硅絕緣層(2)在單晶硅襯底(1)上生長(zhǎng),生長(zhǎng)厚度為2~3um,將單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)與生長(zhǎng)了二氧化硅絕緣層(2)的單晶硅襯底(1)鍵合,單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)的厚度為50~100um,金屬電極層(4)沉積在單晶硅結(jié)構(gòu)層(3)的錨點(diǎn)(3-2)上;
還包括錨點(diǎn)(3-2),成陣列結(jié)構(gòu)的V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-1)的兩端與錨點(diǎn)(3-2)連接,中間臂(3-3)位于V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-1)的中間并與之相互固定,連接臂(3-4)的兩端分別與上下兩側(cè)放大梁(3-5)的首端相連接,連接臂(3-4)的中間部分與中間臂(3-3)的首端連接,隔板(3-6)分別與左右兩側(cè)放大梁(3-5)的末端相連接,隔板(3-6)將加速膛孔(5)擋住;
除去與錨點(diǎn)(3-2)鍵合的部分,其余的二氧化硅絕緣層(2)將被腐蝕掉,使熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-1)、中間臂(3-3)、連接臂(3-4)、放大梁(3-5)以及隔板(3-6)懸空,形成最終的可動(dòng)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓曲放大的引信安保裝置用V型MEMS執(zhí)行器,其特征在于:所述的V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-1)的總長(zhǎng)度為1000~2000um,寬為30~40um,中間夾角為160~170°,每組V型梁熱電驅(qū)動(dòng)單元(3-1)之間的間距為80~100um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓曲放大的引信安保裝置用V型MEMS執(zhí)行器,其特征在于:所述的放大梁(3-5)的長(zhǎng)度為1500~2000um,寬度為10~15um,傾角為2~5°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于壓曲放大的引信安保裝置用V型MEMS執(zhí)行器,其特征在于:所述的隔板(3-6)為邊長(zhǎng)200~250um的正方形結(jié)構(gòu)。
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