[發明專利]雙極晶體管、半導體裝置以及雙極晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201410369333.1
• 申請日: 2014-07-30
• 公開（公告）號: CN104347406B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 佐佐木健次
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/082;H01L29/417
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 俞丹

1.一種雙極晶體管，其特征在于，包括：

俯視時具有長邊方向及短邊方向的集電極層，所述集電極層的所述短邊方向沿著結晶方位[011]，且與所述短邊方向正交的截面形狀為倒臺面型，與所述長邊方向正交的截面形狀為正臺面型；

形成于所述集電極層上的基極層；

形成于所述基極層上的基極電極；以及

與所述基極電極相連接、俯視時從所述集電極層的所述短邊方向的端部向所述集電極層的外部引出的基極布線，

所述基極層俯視時具有長邊方向及短邊方向，且與所述集電極層具有相同的結晶方位，所述基極層的所述短邊方向沿著所述結晶方位[011]，與所述基極層的所述短邊方向正交的截面的形狀為倒臺面型，與所述基極層的所述長邊方向正交的截面的形狀為正臺面型。

2.如權利要求1所述的雙極晶體管，其特征在于，

所述基極布線俯視時相對于所述集電極層的短邊方向傾斜地引出。

3.如權利要求1或2所述的雙極晶體管，其特征在于，

還具有形成于基板與所述集電極層之間、與所述集電極層具有相同的結晶方位的子集電極層，所述子集電極層的與所述集電極層的所述短邊方向正交的截面形狀為倒臺面型，與所述集電極層的所述長邊方向正交的截面形狀為正臺面型。

4.如權利要求3所述的雙極晶體管，其特征在于，

所述基板是GaAs基板。

5.一種半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置具有權利要求1所述的雙極晶體管即第一雙極晶體管、以及第二雙極晶體管，該第二雙極晶體管包括：俯視時具有長邊方向及短邊方向的集電極層，所述集電極層的所述長邊方向沿著結晶方位[011]，且與所述短邊方向正交的截面形狀為倒臺面型，與所述長邊方向正交的截面形狀為正臺面型；形成于所述集電極層上的基極層；形成于所述基極層上的基極電極；以及與所述基極電極相連接、俯視時從所述集電極層的所述長邊方向的端部向所述集電極層的外部引出的基極布線。

6.一種雙極晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

在基板上形成集電極層及基極層的工序；

對所述集電極層和所述基極層進行濕法蝕刻，使得俯視時所述集電極層的短邊方向沿著所述集電極層的結晶方位[011]的工序；

在所述基極層上形成基極電極的工序；以及

利用物理氣相蒸鍍法形成基極布線的工序，該基極布線與所述基極電極相連接，且俯視時從位于所述集電極層的短邊方向的所述集電極層的端部向所述集電極層的外部引出，

所述基極層俯視時具有長邊方向及短邊方向，且與所述集電極層具有相同的結晶方位，所述基極層的所述短邊方向沿著所述結晶方位[011]，與所述基極層的所述短邊方向正交的截面的形狀為倒臺面型，與所述基極層的所述長邊方向正交的截面的形狀為正臺面型。