[發明專利]太陽能電池在審
| 申請號: | 201410368320.2 | 申請日: | 2014-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN105322032A | 公開(公告)日: | 2016-02-10 |
| 發明(設計)人: | 陳傳祺;林佳龍;簡榮吾 | 申請(專利權)人: | 英穩達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產權代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池,包括:
一基板,具有一受光面與相對所述受光面的一背光面;
一連續的射極擴散區,配置于所述背光面,用以收集所述太陽能電池中的少數電荷載子;
多個不連續的基極擴散區,配置于所述背光面,用以收集所述太陽能電池中的多數電荷載子,且所述射極擴散區環繞于多個所述基極擴散區周圍,每一所述基極擴散區為具有一長軸與一短軸的一多邊形,所述短軸小于所述長軸;
一第一指狀電極,配置于所述射極擴散區上方且電性連接所述射極擴散區;以及
一第二指狀電極,配置于多個所述基極擴散區上方且電性連接多個所述基極擴散區。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于:還包括一保護層,配置于所述射極擴散區與所述第一指狀電極之間,且配置于多個所述基極擴散區與所述第二指狀電極之間。
3.如權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于:還包括至少一第一接觸電極,所述第一接觸電極貫穿所述保護層而直接接觸所述射極擴散區,并配置于所述射極擴散區與所述第一指狀電極之間,且所述第一指狀電極直接接觸所述第一接觸電極,所述第一接觸電極為連續的長條狀。
4.如權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于:所述第一指狀電極貫穿所述保護層而直接接觸所述射極擴散區,所述第一指狀電極為連續的長條狀。
5.如權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于:還包括多個不連續的第二接觸電極,多個所述第二接觸電極貫穿所述保護層而直接接觸多個所述基極擴散區,并配置于多個所述基極擴散區與所述第二指狀電極之間,且所述第二指狀電極直接接觸多個所述第二接觸電極。
6.如權利要求5所述的太陽能電池,其特征在于:多個所述基極擴散區與多個所述第二接觸電極為長方形,且每一所述第二接觸電極的面積小于每一所述基極擴散區的面積。
7.如權利要求5所述的太陽能電池,其特征在于:還包括一圖案化絕緣層,配置于所述保護層與所述第二指狀電極之間,且配置于所述第二指狀電極與電性連接于所述第二指狀電極的兩相鄰所述基極擴散區之間,多個所述第二接觸電極貫穿所述圖案化絕緣層與所述保護層而直接接觸多個所述基極擴散區。
8.如權利要求7所述的太陽能電池,其特征在于:所述圖案化絕緣層還部分配置于多個所述基極擴散區與所述第二指狀電極之間。
9.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于:還包括一第三指狀電極,配置于多個所述基極擴散區上方且電性連接多個所述基極擴散區,所述第一指狀電極配置于所述第二指狀電極與所述第三指狀電極之間,且所述第三指狀電極、所述第二指狀電極與所述第一指狀電極三者平行配置。
10.如權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于:與所述第二指狀電極電性連接的兩相鄰的所述基極擴散區之間具有一第一間距,且與所述第三指狀電極電性連接的兩相鄰的所述基極擴散區之間具有所述第一間距。
11.如權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于:每一所述基極擴散區具有一中心點,且所述長軸與所述短軸交會于所述中心點,電性連接于所述第三指狀電極的每一所述基極擴散區的所述中心點與電性連接于所述第二指狀電極的每一所述基極擴散區的所述中心點彼此錯開。
12.如權利要求10所述的太陽能電池,其特征在于:電性連接于所述第三指狀電極的多個所述基極擴散區與電性連接于所述第二指狀電極的多個所述基極擴散區之間具有一第二間距。
13.如權利要求12所述的太陽能電池,其特征在于:所述第一間距小于所述第二間距。
14.如權利要求12所述的太陽能電池,其特征在于:所述短軸與所述第二間距的比值大于0.1且小于1。
15.如權利要求12所述的太陽能電池,其特征在于:所述基極擴散區相對于所述射極擴散區的一面積比值依據一運算式來進行運算,且所述面積比值小于0.4,所述運算式為:
[所述短軸×所述長軸/(所述短軸+所述第二間距)×(所述長軸+所述第一間距)]。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





