[發(fā)明專利]多結(jié)太陽能電池及其制備方法有效
申請?zhí)枺?/td> | 201410368077.4 | 申請日: | 2014-07-29 |
公開(公告)號: | CN104091849B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋明輝;林桂江;陳文浚;畢京鋒 | 申請(專利權(quán))人: | 天津三安光電有限公司 |
主分類號: | H01L31/0725 | 分類號: | H01L31/0725;H01L31/0352;H01L31/18 |
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地址: | 300384 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.多結(jié)太陽能電池,至少包括一底子電池和一位于所述底電池之上的頂子電池,所述頂子電池僅形成于所述底子電池的部分表面上以減少頂子電池的受光面積,當(dāng)光線入射至該多結(jié)太陽能電池時,部分光線直接由頂子電池下面的其余子電池吸收,降低所述頂子電池的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:所述頂子電池的表面積占底子電池的70%~99%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:所述頂子電池具有溝槽圖形,露出其下方子電池的表面,當(dāng)光線入射至該溝槽圖形時,由溝槽下方的子電池直接吸收。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:所述溝槽圖形的面積占總面積的1%~30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:所述溝槽圖形的深度不大于所述頂子電池的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:包括三結(jié)子電池,其從下到上分別為Ge第一子電池、GaAs第二子電池,GaInP第三子電池,其中所述第三子電池僅形成于第二子電池的部分表面上,所述第二子電池露出部分表面,當(dāng)光線入射至該露出部分表面時直接由第二子電池吸收。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:所述頂子電池的面積占中子電池的95%~99%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)太陽能電池,其特征在于:包括四結(jié)子電池,其從下到上分別為Ge第一子電池、InGaAs第二子電池、InGaAsP或AlInGaAs第三子電池、AlInGaP第四子電池,其中所述第四子電池僅形成于第三子電池的部分表面上,所述第三子電池露出部分表面,當(dāng)光線入射至該露出部分表面時直接由第三子電池吸收。
9.多結(jié)太陽能電池的制備方法,包括依次沉積外延疊層,其包括一底子電池和一位于所述底電池之上的頂子電池,其特征在于:僅在所述底子電池的部分表面上形成頂子電池,以減少頂子電池的受光面積,當(dāng)光線入射至該多結(jié)太陽能電池時,部分光線直接由頂子電池下面的其余子電池吸收,降低所述頂子電池的電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述多結(jié)太陽能電池的制備方法,包括步驟:
提供一襯底,在其上依次形成各結(jié)子電池,其至少包括底子電池和位于所述底子電池之上的頂子電池;
在所述頂子電池形成溝槽圖形,露出其下方子電池的表面,當(dāng)光線入射至該溝槽圖形時,由溝槽下方的子電池直接吸收。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述多結(jié)太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述形成的溝槽圖形的面積占總面積的1%~30%。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的