[發明專利]一種玫瑰金鍍層及其制備方法

在審

• 申請號: 201410367655.2
• 申請日: 2014-07-30
• 公開（公告）號: CN105313398A
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 范偉華
• 申請（專利權）人: 深圳市森泰金屬技術有限公司
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;B32B9/00;C23C14/46;C23C14/06
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 張浩

1.一種玫瑰金鍍層，其特征在于，包括碳氮化鈦層和位于所述碳氮化鈦層表面的銅金合金層；

所述碳氮化鈦層的色度系坐標LAB值為：L值為68～70；A值為9～12；B值為15～18；

所述銅金合金層的色度系坐標LAB值為：L值為84～87；A值為9～12；B值為15～18。

2.根據權利要求1所述的玫瑰金鍍層，其特征在于，所述銅金合金層中，金的含量為74～85wt％，銅的含量為26～15wt％。

3.根據權利要求1或2所述的玫瑰金鍍層，其特征在于，所述碳氮化鈦層的厚度為0.3～1.5μm。

4.根據權利要求1或2所述的玫瑰金鍍層，其特征在于，所述銅金合金層的厚度為0.03～0.3μm。

5.如權利要求1所述的玫瑰金鍍層的制備方法，其特征在于，包括：

S1、將基體固定于真空離子鍍膜機的鍍膜室內，鍍膜室加熱至180～220℃并抽真空至8×10^-3Pa以下；

S2、通入1～10Pa的氬氣，在-500～-600V的偏壓下輝光清洗8min～10min；

S3、在偏壓為-200～-400V、真空度為3×10^-1Pa以下的條件下，轟擊鈦靶材2min；

S4、在偏壓為-100～-150V、真空度為6×10^-1Pa以下的條件下，持續通入氮氣和乙炔15min，在基體表面形成碳氮化鈦層；所述氮氣的流速為300～400sccm，所述乙炔的流速為20～35sccm；

S5、在偏壓為-100～-150V、真空度為3.5×10^-1Pa以下的條件下，以銅金合金為靶材，沉積10min，在碳氮化鈦層表面形成銅金合金層；所述銅金合金靶材中，金的含量為74～85wt％，銅的含量為26～15wt％。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S4之后S5之前還包括將鍍膜室抽真空至10^-3Pa以下；然后通入1～10Pa的氬氣，在-500～-600V的偏壓下輝光清洗8～10min。

7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S1之前還包括對基材進行鍍膜前處理。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述鍍膜前處理包括經80℃高溫除蠟、除油。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述基體材質選自不銹鋼、銅、銅合金、鋅合金、銀或錫。

10.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述碳氮化鈦層的厚度為0.3～1.5μm；所述銅金合金層的厚度為0.03～0.3μm。