[發(fā)明專(zhuān)利]一種氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410367510.2
• 申請(qǐng)日: 2014-07-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104092092A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳創(chuàng)天;徐波;王曉洋;范飛鏑;劉麗娟;李如康
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01S3/109
• 分類(lèi)號(hào): H01S3/109
• 代理公司: 北京方安思達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11472
• 代理人: 王宇楊;王敬波

1.一種氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其由具有相互平行的前拋光表面和后拋光表面的片狀KBBF族晶體、分別鍍于所述片狀KBBF族晶體前拋光表面和后拋光表面上的前增透膜及后增透膜、柱狀晶體架以及套裝于所述柱狀晶體架外表面上的外加熱套組成；其特征在于，所述柱狀晶體架沿中心軸線方向設(shè)有貫穿所述柱狀晶體架的通光孔；柱狀晶體架內(nèi)開(kāi)有方形卡槽，所述方形卡槽與通光孔相通，方形卡槽大面的法線與柱狀晶體架中心軸線成θ角；

所述片狀KBBF族晶體置于所述柱狀晶體架的方形卡槽內(nèi)，所述片狀KBBF族晶體的前、后表面的法線方向與所述方形卡槽大面法線方向一致；

基頻激光沿著柱狀晶體架中心軸線方向射入至所述KBBF族晶體前表面的前增透膜，在所述KBBF族晶體內(nèi)部實(shí)現(xiàn)相位匹配后，并沿柱狀晶體架的中心軸線方向由所述KBBF族晶體后表面的后增透膜出射倍頻光；

所述KBBF族晶體為氟硼鈹酸鉀晶體或氟硼鈹酸銣晶體；對(duì)于氟硼鈹酸鉀晶體，所述θ角為62.16°；對(duì)于氟硼鈹酸銣晶體，所述θ角為73.02°；

所述前增透膜對(duì)532納米激光高透；所述后增透膜同時(shí)對(duì)532納米激光和266納米激光高透。

2.按權(quán)利要求1所述的氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其特征在于，所述KBBF族晶體前拋光表面和后拋光表面均為KBBF族晶體的結(jié)晶學(xué)c面；表面粗糙度Ra小于0.5納米，面型精度小于1/8光圈。

3.按權(quán)利要求1所述的氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其特征在于，所述柱狀晶體架形狀為圓柱體，方柱體或多棱柱體。

4.按權(quán)利要求1或3所述的氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其特征在于，所述柱狀晶體架由水平方向?qū)⑺龇叫慰ú鄣确值纳舷聝刹糠謽?gòu)成；或由垂向?qū)⑺龇叫慰ú鄣确值淖笥覂刹糠謽?gòu)成。

5.按權(quán)利要求1或3所述的氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其特征在于，所述的柱狀晶體架的材料為紫銅或鋁。

6.按權(quán)利要求4所述的氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其特征在于，所述的柱狀晶體架的材料為紫銅或鋁。

7.按權(quán)利要求1所述的氟硼鈹酸鉀族晶體斜入射激光倍頻器，其特征在于，所述的外加熱套上纏繞加熱絲，加熱絲與控溫儀表相連以精確控溫。