[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置有效
申請?zhí)枺?/td> | 201410366662.0 | 申請日: | 2014-07-29 |
公開(公告)號: | CN105374669B | 公開(公告)日: | 2018-03-16 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | 余達(dá)強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28 |
代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所11336 | 代理人: | 董巍,高偉 |
地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 電子 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝,具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。
背景技術(shù)
對于現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件制造工藝而言,在半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)及緊靠柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁結(jié)構(gòu)之后,在側(cè)壁結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成源/漏區(qū)并實施應(yīng)力記憶,然后在源/漏區(qū)的頂部形成自對準(zhǔn)硅化物。實施形成自對準(zhǔn)硅化物的工藝之前,需要先形成自對準(zhǔn)硅化物阻擋層并對其實施圖案化工藝,以僅露出源/漏區(qū)的頂部。實施形成自對準(zhǔn)硅化物的工藝之后,通常采用先干法蝕刻再濕法蝕刻的工藝去除自對準(zhǔn)硅化物阻擋層,但是,在所述濕法蝕刻之后,一般會有少量的自對準(zhǔn)硅化物阻擋層的殘留,此殘留現(xiàn)象在側(cè)壁結(jié)構(gòu)的表面尤為突出,并且,形成的自對準(zhǔn)硅化物阻擋層的厚度越大,在所述濕法蝕刻之后,自對準(zhǔn)硅化物阻擋層的殘留越多。對于普通的半導(dǎo)體器件而言,此殘留現(xiàn)象不會影響器件的電學(xué)性能,而對于一些特殊的半導(dǎo)體器件而言,此殘留現(xiàn)象則會影響器件的電學(xué)性能。
因此,需要提出一種方法,以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)和位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的側(cè)壁結(jié)構(gòu);在所述半導(dǎo)體襯底上形成內(nèi)連柵極材料層,覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述側(cè)壁結(jié)構(gòu);去除位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的內(nèi)連柵極材料層,并在所述半導(dǎo)體襯底上形成自對準(zhǔn)硅化物阻擋層,覆蓋所述內(nèi)連柵極材料層和露出的所述柵極結(jié)構(gòu);依次實施第一濕法蝕刻、干法蝕刻和第二濕法蝕刻去除所述自對準(zhǔn)硅化物阻擋層,以完全暴露所述內(nèi)連柵極材料層和所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部。
在一個示例中,所述位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的內(nèi)連柵極材料層的去除包括以下工藝步驟:形成覆蓋所述內(nèi)連柵極材料層的光刻膠層,通過曝光、顯影工藝在所述光刻膠層上形成后續(xù)實施蝕刻所需的圖案;以所述圖案化的光刻膠層為掩膜,通過蝕刻去除位于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部的內(nèi)連柵極材料層;通過灰化工藝去除所述光刻膠層。
在一個示例中,實施所述第一濕法蝕刻,以去除所述自對準(zhǔn)硅化物阻擋層的大部分;實施所述干法蝕刻,以去除相對于所述半導(dǎo)體襯底的表面的水平方向上殘留的所述自對準(zhǔn)硅化物阻擋層的大部分;實施所述第二濕法蝕刻,以去除剩余的所述自對準(zhǔn)硅化物阻擋層。
在一個示例中,所述第一濕法蝕刻為各向同性蝕刻。
在一個實施例中,本發(fā)明還提供一種采用上述方法制造的半導(dǎo)體器件。
在一個實施例中,本發(fā)明還提供一種電子裝置,所述電子裝置包括所述半導(dǎo)體器件。
根據(jù)本發(fā)明,對于所述半導(dǎo)體襯底的特殊區(qū)域而言,可以確保去除所述自對準(zhǔn)硅化物阻擋層時不產(chǎn)生殘留,以完全暴露需要形成自對準(zhǔn)硅化物的部分。
附圖說明
本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述,用來解釋本發(fā)明的原理。
附圖中:
圖1A-圖1F為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖;
圖2為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例一的方法依次實施的步驟的流程圖。
具體實施方式
在下文的描述中,給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是,本發(fā)明可以無需一個或多個這些細(xì)節(jié)而得以實施。在其他的例子中,為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆,對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
為了徹底理解本發(fā)明,將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟,以便闡釋本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置。顯然,本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下,然而除了這些詳細(xì)描述外,本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時,其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造