[發明專利]鈍化層的制造方法在審
| 申請號： | 201410365998.5 | 申請日： | 2014-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN104911553A | 公開（公告）日： | 2015-09-16 |
| 發明（設計）人： | 董寰乾;黃宏勝;余建輝;張鼎張 | 申請（專利權）人： | 中國鋼鐵股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;C23C14/08;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 湯在彥 |
| 地址： | 中國臺灣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化 制造 方法 | ||
1.一種鈍化層的制造方法，其特征在于，該方法包含：
提供一薄膜晶體管器件，其中該薄膜晶體管器件包含一銦鎵鋅氧化物層；以及
利用一硅鋁靶材進行一濺射制造工藝，以形成一鈍化層覆蓋在該銦鎵鋅氧化物層上，其中該硅鋁靶材由鋁與硅所組成，且該濺射制造工藝的一工藝氣體包含一氧氣與一氬氣。
2.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該硅鋁靶材包含20wt％至80wt％的硅。
3.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該濺射制造工藝包含利用一直流磁控濺射方式或一射頻磁控濺射方式。
4.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該氧氣與該氬氣的比例為1：1至1：2。
5.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該工藝氣體還包含一氮氣。
6.如權利要求5所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該氮氣與該氬氣的比例為1：1至1：2。
7.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，在該濺射制造工藝中，該工藝氣體的壓力為2mtorr至8mtorr。
8.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該鈍化層的厚度為25nm至100nm。
9.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該鈍化層包含硅鋁氧化物。
10.如權利要求1所述的鈍化層的制造方法，于該濺射制造工藝后，其特征在于，還包含進行一退火處理。
11.如權利要求10所述的鈍化層的制造方法，其特征在于，該退火處理包含在大氣環境下，以300℃的工藝溫度進行一個小時。
12.一種鈍化層的制造方法，其特征在于，該方法包含：
提供一薄膜晶體管器件，其中該薄膜晶體管器件包含一銦鎵鋅氧化物層；以及
利用一硅鋁靶材進行一濺射制造工藝，以形成一鈍化層覆蓋在該銦鎵鋅氧化物層上，其中該硅鋁靶材由鋁與硅所組成，該濺射制造工藝的一工藝氣體包含一氮氣與一氬氣，該鈍化層包含硅鋁氮化物。
13.如權利要求12所述的鈍化層的制造方法，于該濺射制造工藝后，其特征在于，還包含進行一退火處理，該退火處理包含在大氣環境下，以300℃的工藝溫度進行一個小時，以使該硅鋁氮化物氧化，形成硅鋁氮氧化物。
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