[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結構的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410365836.1 | 申請日： | 2014-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN105304549A | 公開（公告）日： | 2016-02-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊貴璞;王堅;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 形成 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離結構的形成方法，包括步驟：
提供一半導體襯底，在半導體襯底的表面生長墊氧化層；
在墊氧化層的表面沉積氮化硅層；
依次刻蝕氮化硅層、墊氧化層及半導體襯底，形成淺溝槽；
在淺溝槽的底部和側壁生長襯氧化層；
在淺溝槽內及氮化硅層的表面沉積二氧化硅介質層；
采用化學機械拋光技術對沉積的二氧化硅介質層進行平坦化處理直至氮化硅層；
去除氮化硅層；
其特征在于，在所述步驟采用化學機械拋光技術對沉積的二氧化硅介質層進行平坦化處理直至氮化硅層之后，步驟去除氮化硅層之前，還包括采用BHF清洗氮化硅層的表面。
2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，半導體襯底為硅襯底。
3.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，BHF是NH4F和HF的混合溶液。
4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述BHF的濃度為0.5％-10％。
5.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，采用BHF清洗氮化硅層的表面的清洗時間為5s-100s。
6.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，采用高密度等離子體化學氣相沉積技術在淺溝槽內及氮化硅層的表面沉積二氧化硅介質層。
7.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，在墊氧化層的表面沉積氮化硅層時，增加沉積的氮化硅層的厚度。
8.根據權利要求7所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，增加的氮化硅層的厚度等于BHF刻蝕掉的淺溝槽中的二氧化硅介質層的厚度。
9.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，所述墊氧化層及襯氧化層的材質均為二氧化硅。
10.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的形成方法，其特征在于，采用熱的磷酸去除氮化硅層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
