[發(fā)明專利]一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410365636.6
• 申請日: 2014-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN104167472A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李森;雷青松;薛俊明;王燕增;杜國杰;趙學(xué)亮;楊鵬飛;王珊珊
• 申請（專利權(quán)）人: 河北漢盛光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/20
• 分類號(hào): H01L31/20;H01L31/0264
• 代理公司: 石家莊元匯專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 13115
• 代理人: 劉聞鐸

1.一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，包括襯底(1)、n⁺型擴(kuò)散層(2)、n⁺⁺型非晶硅薄膜層(3)、本征非晶SiO_X層(0<x<2)(4)、P型非晶SiO_X(0<x<2)層(5)、TCO薄膜層(6)、電極(7)，其特征在于，所述襯底(1)的背面依次生長n⁺型擴(kuò)散層(2)、n⁺⁺型非晶硅薄膜層(3)、TCO薄膜層(6)，TCO薄膜層(6)上設(shè)置電極(7)，所述襯底(1)的正面依次生長本征非晶SiO_X(0<x<2)層(4)、P型非晶SiO_X(0<x<2)層(5)、TCO薄膜層(6)，TCO薄膜層(6)上設(shè)置電極(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述襯底(1)的材料為n型單晶硅，所述n⁺型擴(kuò)散層(2)通過熱擴(kuò)散POCl₃形成，所述TCO薄膜層(6)的材料為ITO，所述電極(7)通過絲網(wǎng)印刷銀漿燒結(jié)而成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述銀漿的成份包括銀粉80～90wt％、玻璃粉2～5wt％、有機(jī)載體10～20wt％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述電極(7)的寬度為30μm～60μm，高度為30μm～50μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述襯底(1)的厚度為100μm～150μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池，其特征在于，所述n⁺型擴(kuò)散層(2)的厚度為1nm～10nm，n⁺⁺型非晶硅薄膜層(3)的厚度為20nm～30nm，本征非晶SiO_x(0<x<2)層(4)的厚度為1nm～3nm，P型非晶SiO_x(0<x<2)層(5)的厚度為3nm～8nm，TCO薄膜層(6)的厚度為100nm～150nm。

7.如權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法，其特征在于，操作步驟依次包括：

a.對襯底(1)進(jìn)行制絨和清洗；

b.利用擴(kuò)散爐在襯底(1)背面擴(kuò)散POCl₃形成n⁺型擴(kuò)散層(2)；

c.利用PECVD在n⁺型擴(kuò)散層(2)上生長n⁺⁺型非晶硅薄膜層(3)；

d.利用PECVD在襯底(1)正面生長本征非晶SiO_x(0<x<2)層(4)；

e.利用PECVD在本征非晶SiO_x(0<x<2)層(4)上生長P型非晶SiO_x(0<x<2)層(5)；

f.利用磁控濺射分別在n⁺⁺型非晶硅薄膜層(3)表面和P型非晶SiO_x(0<x<2)層(5)表面濺射TCO薄膜層(6)；

g.利用絲網(wǎng)印刷分別在襯底(1)正反面的TCO薄膜層(6)表面印刷銀漿，并利用燒結(jié)爐對銀漿進(jìn)行燒結(jié)。