[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410364165.7
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104821183B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 李譓憐
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

1.一種半導體器件，包括：

存儲器單元，其與字線電耦接；以及

操作電路，其適于對電耦接至選中字線的存儲器單元執行編程循環，其中，所述操作電路適于：當執行所述編程循環的次數超過參照數量時，增大施加至編程目標存儲器單元的位線的編程允許電壓，

其中，所述字線被配置在源極選擇線與漏極選擇線之間，以及

所述參照數量隨著所述選中字線對所述漏極選擇線的靠近而增大。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，存儲塊包括具有三維結構的存儲串，且所述存儲串中的每個包括垂直電耦接的漏極選擇晶體管、所述存儲器單元以及源極選擇晶體管。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：將導通電壓施加至選中存儲串的漏極選擇晶體管，以及將關斷電壓施加至所述存儲塊中的未選中存儲串的漏極選擇晶體管。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：當對從所述字線之中最后選出的字線執行所述編程循環時，如果執行所述編程循環的次數超過所述參照數量，則增大所述編程允許電壓。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：當對與所述漏極選擇線相鄰的字線執行所述編程循環時，如果執行所述編程循環的次數超過所述參照數量，則增大所述編程允許電壓。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：在執行所述編程循環當中距達到最大數量剩下預定數量時，增大所述編程允許電壓。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于與執行所述編程循環的次數成正比地增大所述編程允許電壓。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：當執行所述編程循環時將編程抑制電壓施加至未選中位線；以及在與所述編程抑制電壓的范圍相關的較低范圍中增大所述編程允許電壓。

9.一種半導體器件，包括：

存儲塊，所述存儲塊包括具有三維結構的存儲串，其中，所述存儲串中的每個包括在位線和公共源極線之間沿著垂直方向電耦接的漏極選擇晶體管、存儲器單元和源極選擇晶體管；以及

操作電路，其適于對選中存儲器單元執行編程循環，以及當執行所述編程循環的次數超過參照數量時增大施加至編程目標存儲器單元的位線的編程允許電壓，

所述參照數量隨著所述選中存儲器單元對所述漏極選擇線的靠近而增大。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：當對從所述存儲器單元之中最后選出的存儲器單元執行所述編程循環時，如果執行所述編程循環的次數超過所述參照數量，則增大所述編程允許電壓。

11.如權利要求9所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：當對與所述漏極選擇晶體管相鄰的存儲器單元執行所述編程循環時，如果執行所述編程循環的次數超過所述參照數量，則增大所述編程允許電壓。

12.如權利要求9所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：在執行所述編程循環當中距達到最大數量剩下預定數量時增大所述編程允許電壓。

13.如權利要求9所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于與執行所述編程循環的次數相關地增大所述編程允許電壓。

14.如權利要求9所述的半導體器件，其中，所述操作電路適于：當執行所述編程循環時，將編程抑制電壓施加至未選中位線；以及在與所述編程抑制電壓的范圍相關的較低范圍中增大施加至所述位線的所述編程允許電壓。