[發明專利]半導體器件、透明金屬網狀電極及其制作方法無效
| 申請號： | 201410363985.4 | 申請日： | 2014-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN104134736A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發明（設計）人： | 張碩;段瑞飛;何志;魏同波;張勇輝;伊曉燕;王軍喜;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 透明 金屬 網狀 電極 及其 制作方法 | ||
1.一種半導體器件，，包括襯底，金屬網狀電極，其特征在于：?
所述金屬網狀電極通過利用自組裝方法獲得的周期性圖形作為掩膜蒸鍍金屬層，然后除去掩膜獲得。?
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于所述掩膜為直接鋪設在襯底上的密排聚苯乙烯微球(PS球)，其大小通過縮球工藝參數控制。?
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，襯底可為藍寶石，GaN，硅片，玻璃，陶瓷。?
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于可以通過控制鋪設聚苯乙烯微球球的范圍實現控制電極圖形及線寬。?
5.根據權利要求1所述的半導體器件，所使用電極材料為Au，Ag，Ni，Pt。?
6.一種透明金屬網狀電極的制造方法，其特征在于包括如下步驟：?
在襯底上鋪設單層掩膜球；?
刻蝕減小掩膜球半經；?
在襯底上形成薄金屬層；?
除去掩膜球。?
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述掩膜球通過自組裝方法鋪設。?
8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述掩膜球為聚苯乙烯微球。?
9.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：通過等離子刻蝕減小掩膜球半徑。?
10.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：通過蒸鍍或濺射形成薄金屬層。?
11.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：通過機械清洗除去掩膜球。?
12.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：所使用襯底可為藍寶石，GaN，硅片，玻璃，陶瓷。?
13.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于：所使用電極材料，為Au，Ag，Ni，Pt。?
14.一種透明金屬網狀電極，其特征在于：所述金屬網狀電極通過利用自組裝方法獲得的周期性圖形作為掩膜蒸鍍金屬層，然后除去掩膜獲得。?
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