[發明專利]放大器電路

有效

• 申請號: 201410363787.8
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104378072B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 杰拉德·簡-路易斯·布伊斯
• 申請（專利權）人: 安普林荷蘭有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F3/26
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司11270
• 代理人: 浦彩華,姚開麗

1.一種封裝的高功率射頻RF放大器電路，包括差分放大器電路，所述差分放大器電路包括：

半導體晶片，該半導體晶片具有高電阻率襯底并且包括第一LDMOS晶體管和第二LDMOS晶體管，其中，所述第一LDMOS晶體管的源極通過源極到源極的連接電連接到所述第二LDMOS晶體管的源極，

其特征在于，所述差分放大器電路還包括:

第一組多個鍵合引線，所述第一組多個鍵合引線在所述第一LDMOS晶體管的漏極與所述第二LDMOS晶體管的漏極之間延伸，

其中，所述源極到源極的連接由中間層金屬形成，以使得由于所述差分放大器電路的差分操作，所述源極到源極的連接的中點成為虛擬AC地，所述第一LDMOS晶體管的源極和所述第二LDMOS晶體管的源極各自通過連接到地的物理連接進行DC接地，連接到地的所述物理連接與所述源極到源極的連接分離；并且

其中，所述高電阻率襯底具有大于50Ω*cm的電阻率。

2.根據權利要求1所述的封裝的高功率射頻RF放大器電路，包括：

具有法蘭的封裝，

其中，用于將所述第一LDMOS晶體管的源極和所述第二LDMOS晶體管的源極接地的所述物理連接各自包括第二組多個鍵合引線，所述第二組多個鍵合引線用于將所述第一LDMOS晶體管或所述第二LDMOS晶體管各自的源極連接至所述法蘭。

3.根據權利要求2所述的封裝的高功率射頻RF放大器電路，其中，所述封裝還包括漏極引線，所述差分放大器電路還包括第三組多個鍵合引線，所述第三組多個鍵合引線用于將所述第一LDMOS晶體管的漏極和所述第二LDMOS晶體管的漏極連接至相應的漏極引線。

4.根據權利要求3所述的封裝的高功率射頻RF放大器電路，其中，所述第一組多個鍵合引線橫過所述半導體晶片沿第一方向延伸，并且其中，所述第三組多個鍵合引線平行于所述第一方向延伸。

5.根據前述任一權利要求所述的封裝的高功率射頻RF放大器電路，其特征在于，高電阻率襯底包括硅。

6.根據權利要求5所述的封裝的高功率射頻RF放大器電路，其特征在于，高電阻率襯底具有大于100Ω*cm的電阻率。

7.根據權利要求6所述的封裝的高功率射頻RF放大器電路，其特征在于，高電阻率襯底具有大于或等于1KΩ*cm的電阻率。

8.一種移動通信基站，其特征在于，包括根據權利要求1到7任一項所述的封裝的高功率RF放大器電路。