[發明專利]一種柔性顯示基板及其制備方法與顯示裝置

在審

• 申請號: 201410363651.7
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104143565A
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 任慶榮;郭煒;馬凱葓
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及柔性顯示技術領域，具體地說，涉及一種柔性顯示基板及其制備方法與顯示裝置。

背景技術

柔性顯示(Flexible?Display)是未來非常有前景的顯示技術，在通過廣大研究者及工程師的開發下，柔性顯示技術迅速發展。在不久的將來，柔性顯示技術的發展，將會使得顯示技術更加多樣。目前研究較多的是柔性有機發光二極管(OLED)、柔性EPD等，其中柔性OLED研究最熱，為了很好的驅動OLED，目前多采用低溫多晶硅、氧化物等遷移率較高的半導體材料。然而，為了能有較好的特性，一般制程溫度較難降下來，這給襯底的選擇帶來了挑戰。

目前，本申請人提出采用涂覆聚酰亞胺薄膜(PI膜)作為襯底，這種襯底一般采用激光(Laser)照射進行剝離。但是，在沒有額外增加緩沖層(Buffer)+非晶硅層(a-Si)時，在進行準分子激光晶化時，常出現局部碳化導致工藝不良。

為了避免了上述問題，申請人提出了雙緩沖層(Buffer)+非晶硅層(a-Si)，但是又出現了由于最下面一層的非晶硅層透過率低，致使集成電路壓焊時無法識別光學定位孔(Mark)進行對位。針對這一技術問題，申請人又提出將集成電路壓焊區的a-Si刻蝕掉，解決了集成電路壓焊對位問題。但是上述改進后的技術方案仍然存在一些技術問題：1、增加一道掩膜及刻蝕工藝，增加了工藝成本；2、雙非晶硅層(a-Si)透過率低，在未來柔性透明顯示中帶來問題。

發明內容

為了解決現有技術中存在的問題，本發明的目的是提供一種柔性顯示基板及其制備方法與顯示裝置，既能夠降低柔性材料層局部碳化的風險，又不需要增加一道掩膜及刻蝕工藝。

為了實現本發明目的，本發明首先提供了一種柔性顯示基板，包括柔性材料層和顯示結構，所述柔性顯示基板還包括：設于所述柔性材料層和所述顯示結構之間的激光阻擋層。

進一步地，所述激光阻擋層的材料為銦鎵鋅氧化物。其對308nm波長的紫外光具有較強的吸收能力，能夠有效吸收非晶硅晶化時的激光能量，可以降低柔性材料層局部碳化的風險；同時銦鎵鋅氧化物對可見光有較大的透過率，可以不需要單獨加一道掩膜進行刻蝕集成電路壓焊區的銦鎵鋅氧化物，提高了生產效率，降低了生產成本。

進一步地，所述激光阻擋層的厚度為

作為優選，所述柔性材料層優選為聚酰亞胺薄膜(PI膜)。

作為優選，所述柔性顯示基板為柔性陣列基板；所述顯示結構包括低溫多晶硅薄膜晶體管。

本發明還提供了一種柔性顯示基板的制備方法，包括：

在基板上形成柔性材料層；

在柔性材料層上形成激光阻擋層；

在激光阻擋層上形成顯示結構；

通過激光剝離的方式使柔性材料層與基板分離，得到柔性顯示基板。

進一步地，所述激光阻擋層的材料為銦鎵鋅氧化物，所述激光阻擋層通過磁控濺射沉積形成。

作為優選，所述基板為玻璃基板。

作為優選，所制備的柔性顯示基板為柔性陣列基板，所述顯示結構包括低溫多晶硅薄膜晶體管；所述形成顯示結構包括：

形成非晶硅層；

通過激光退火將非晶硅層轉變為多晶硅層。

本發明還提供了一種顯示裝置，其包括前述柔性顯示基板。

本發明的有益效果在于：

本發明使用銦鎵鋅氧化物做激光阻擋層，銦鎵鋅氧化物對308nm波長的紫外光具有較強的吸收能力，能夠有效吸收非晶硅晶化時的激光能量，可以降低柔性材料層局部碳化的風險；同時銦鎵鋅氧化物對可見光有較大的透過率，可以不需要單獨加一道掩膜進行刻蝕集成電路壓焊區的銦鎵鋅氧化物，提高了生產效率，降低了生產成本。本發明所提供的柔性顯示基板膜既能降低ELA晶化造成的柔性材料層局部碳化導致的工藝不良，又克服了因雙非晶硅層透過率降低，造成集成電路壓焊時無法對位的問題。

附圖說明

圖1為本發明柔性顯示基板的切面示意圖；

圖中，1：基板；2：柔性材料層；3：激光阻擋層；4：顯示結構。

具體實施方式

以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。

實施例1柔性顯示基板

如圖1所示，本實施例所述的柔性顯示基板包括基板1、柔性材料層2、激光阻擋層3、顯示結構4。

其中：基板1為玻璃基板；柔性材料層2為聚酰亞胺薄膜(PI膜)；激光阻擋層為銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜；激光阻擋層3的厚度為

上述柔性基板的制備方法為：