[發明專利]蝕刻速率模擬及其在室內和室對室匹配中的用途

有效

• 申請號: 201410363403.2
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104347340B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 約翰·C·小瓦爾考;哈梅特·辛格;亨利·波沃尼
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種方法，其包括：

接收在第一等離子體系統的射頻(RF)發生器的輸出處測量的電壓和電流；

計算第一項、第二項和第三項的總和，其中所述第一項是系數與所述電壓的函數的第一乘積，所述第二項是系數與所述電流的函數的第二乘積，并且所述第三項是系數、所述電壓的函數和所述電流的函數的第三乘積；

將所述總和確定為與所述第一等離子體系統相關的蝕刻速率；并且

調節來自第二等離子體系統的射頻發生器的功率輸出以達到與所述第一等離子體系統相關的蝕刻速率，

其中所述方法由處理器執行。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一等離子體系統的射頻發生器經由電纜連接至阻抗匹配電路，并且其中所述阻抗匹配電路經由射頻傳輸線連接至等離子體室。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一乘積或所述第三乘積中的所述電壓的函數包括在所述第一等離子體系統的所述射頻發生器的所述輸出處測量的所述電壓的數學冪函數，并且所述第二乘積或所述第三乘積中的所述電流的函數包括在所述第一等離子體系統的所述射頻發生器的所述輸出處測量的所述電流的數學冪函數。

4.根據權利要求1所述的方法，其中接收在所述第一等離子體系統的所述射頻發生器的所述輸出處測量的所述電壓和所述電流是使用所述第一等離子體系統的等離子體室中的假晶片來執行。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一等離子體系統的所述射頻發生器的所述輸出連接至阻抗匹配電路的輸入，其中所述輸出便于將射頻信號經由所述阻抗匹配電路傳輸到等離子體室。

6.根據權利要求1所述的方法，其中調節來自所述第二等離子體系統的所述射頻發生器的所述功率輸出是在所述第二等離子體系統用于蝕刻半導體晶片時執行。

7.根據權利要求1所述的方法，其中調節所述功率包括增大或減小來自所述第二等離子體系統的所述射頻發生器的功率輸出。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一等離子體系統包括功能上與所述第二等離子體系統的工具相同并且具有與所述第二等離子體系統的工具的標識符不同的標識符的工具。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一等離子體系統包括結構上與所述第二等離子體系統的工具相同并且具有與所述第二等離子體系統的工具的標識符不同的標識符的工具。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一等離子體系統包括結構和功能上與所述第二等離子體系統的工具相同并且具有與所述第二等離子體系統的工具的標識符不同的標識符的工具。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述總和是泰勒級數。

12.一種方法，其包括：

接收在等離子體系統的射頻(RF)發生器的輸出處在第一時間測量的電壓和電流；

計算第一項、第二項和第三項的總和，其中所述第一項是系數與所述電壓的函數的第一乘積，并且所述第二項是系數與所述電流的函數的第二乘積，并且所述第三項是系數、所述電壓的函數和所述電流的函數的第三乘積；

將所述總和確定為與所述等離子體系統相關的蝕刻速率；并且

調節來自所述等離子體系統的所述射頻發生器在第二時間的功率輸出以達到所述蝕刻速率，

其中所述方法由處理器執行。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述射頻發生器的所述輸出連接至阻抗匹配電路的輸入，其中使用所述輸出以便于將射頻信號經由所述阻抗匹配電路傳輸到等離子體室。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述第二時間在所述第一時間之后出現。

15.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一乘積或所述第三乘積中的所述電壓的函數包括在所述第一時間測量的電壓的數學冪函數，并且所述第二乘積或所述第三乘積中的所述電流的函數包括在所述第一時間測量的電流的數學冪函數。

16.根據權利要求12所述的方法，其中接收在所述等離子體系統的所述射頻發生器的所述輸出處在所述第一時間測量的所述電壓和電流是使用所述等離子體系統的等離子體室中的假晶片來執行。