[發明專利]包括具有多能級的三耦合量子阱結構的光學設備

有效

• 申請號: 201410363259.2
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104638080B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發明（設計）人: 趙龍哲;李用卓;樸昌泳;羅炳勛;樸勇和;周建佑
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;光州科學技術院
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01S5/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種光學設備，包括：

有源層，其包括兩個外部勢壘，以及被布置在所述兩個外部勢壘之間的耦合量子阱，

其中，所述耦合量子阱包括第一量子阱層、第二量子阱層、以及第三量子阱層、布置在所述第一量子阱層和所述第二量子阱層之間的第一耦合勢壘、以及布置在所述第二量子阱層和所述第三量子阱層之間的第二耦合勢壘，

其中，布置在所述耦合量子阱的相對端的第一量子阱層的厚度和第三量子阱層的厚度與被布置在所述第一量子阱層和所述第三量子阱層之間的所述第二量子阱層的厚度不同，以及

其中，所述第一量子阱層的能級和第三量子阱層的能級與所述第二量子阱層的能級不同，

其中，所述第一量子阱層的厚度和所述第三量子阱層的厚度的每個比所述第二量子阱層的厚度小。

2.根據權利要求1所述的光學設備，其中，所述第一耦合勢壘的勢能和所述第二耦合勢壘的勢能中的每個比接地電平高，并且低于外部勢壘的能級。

3.根據權利要求2所述的光學設備，其中，并且所述第一量子阱層的能級和所述第三量子阱層的能級的每個比所述第二量子阱層的能級低。

4.一種光學設備，包括：

有源層，其包括兩個外部勢壘，以及被布置在所述兩個外部勢壘之間的耦合量子阱；以及

下反射層，其被布置在所述有源層的下表面上，以及上反射層，其被布置在有源層的上表面上，

其中，所述耦合量子阱包括第一量子阱層、第二量子阱層、以及第三量子阱層、布置在所述第一量子阱層和所述第二量子阱層之間的第一耦合勢壘，以及布置在所述第二量子阱層和所述第三量子阱層之間的第二耦合勢壘，

其中，布置在所述耦合量子阱的相對端的第一量子阱層的能級和第三量子阱層的能級與被布置在所述第一量子阱層和所述第三量子阱層之間的所述第二量子阱層的能級不同，

其中，所述第一量子阱層的厚度和所述第三量子阱層的厚度的每個比所述第二量子阱層的厚度小。

5.根據權利要求4所述的光學設備，其中，所述光學設備是反射型光學調制器，并且

所述下反射層的反射率比所述上反射層的反射率高。

6.根據權利要求4所述的光學設備，進一步包括布置在所述下反射層和所述上反射層中的至少一個內的微腔層，

其中，所述光學設備的諧振波長為λ，并且所述有源層的光學厚度和所述微腔層的光學厚度的每個為λ/2的整數倍。

7.根據權利要求4所述的光學設備，其中，所述耦合量子阱包括第一耦合量子阱和第二耦合量子阱，其中：

所述第一耦合量子阱包括第一量子阱層、第一耦合勢壘、第二量子阱層、第二耦合勢壘、以及第三量子阱層；并且

所述第二耦合量子阱包括順序堆疊的第四量子阱層、第三耦合勢壘、第五量子阱層、第四耦合勢壘、以及第六量子阱層，

其中，所述第一耦合量子阱的所述第二量子阱層的厚度與所述第二耦合量子阱的所述第五量子阱層的厚度不同。

8.根據權利要求7所述的光學設備，其中，所述第一耦合勢壘、所述第二耦合勢壘、所述第三耦合勢壘、以及所述第四耦合勢壘的勢能的每個比接地電平高，并且比所述外部勢壘的能級低。

9.根據權利要求7所述的光學設備，其中，所述第一量子阱層的厚度和所述第三量子阱層的厚度的每一個比所述第二量子阱層的厚度小，并且所述第四量子阱層的厚度和所述第六量子阱層的厚度的每一個比所述第五量子阱層的厚度小。

10.根據權利要求7所述的光學設備，其中，所述第一量子阱層的能級和所述第三量子阱層的能級比所述第二量子阱層的能級低，并且所述第四量子阱層的能級和所述第六量子阱層的能級比所述第五量子阱層的能級低。

11.根據權利要求7所述的光學設備，其中，所述第一量子阱層的厚度與所述第四量子阱層的厚度相同，并且所述第三量子阱層的厚度與所述第六量子阱層的厚度相同。