[發明專利]封裝焊線的制備方法及其成品有效
| 申請號: | 201410362856.3 | 申請日: | 2014-07-28 | 
| 公開(公告)號: | CN104658930B | 公開(公告)日: | 2018-06-15 | 
| 發明(設計)人: | 呂宗鴻;趙健佑 | 申請(專利權)人: | 大亞電線電纜股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/49 | 
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 韓蕾 | 
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗氧化層 焊線 制備 封裝 電鍍工藝 伸線加工 芯材表面 裂痕 芯材 半導體封裝工藝 退火 半導體裝置 表面平整性 熱處理 完整包覆 減面率 母材 眼模 填補 | ||
1.一種封裝焊線的制備方法,其包括:
提供母材;
以100至150米/分鐘的伸線速率,使用眼模減面率為7%至9%的多重鉆石眼模伸線母材,以獲得芯材;
將芯材置于電鍍液中,電鍍液為含有鈀離子的水溶液,鈀離子的濃度為2克/升至4克/升,以0.01安培以上的電流、30至50米/分鐘的生產線速,并于芯材上電鍍形成抗氧化層,以獲得包覆有抗氧化層的芯材,該抗氧化層的厚度為50至130納米;以及
以400℃至800℃的溫度熱處理包覆有抗氧化層的芯材,制得封裝焊線,其中封裝焊線的拉伸率為4%至20%,拉斷力為3gf至48gf。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其中以400℃至800℃的溫度熱處理包覆有抗氧化層的芯材制得封裝焊線的步驟包括:
于通有10升/分鐘至15升/分鐘的氮氣環境中,以400℃至800℃的溫度熱處理包覆有抗氧化層的芯材,制得封裝焊線。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其中以100至150米/分鐘的伸線速率使用眼模減面率為7%至9%的多重鉆石眼模伸線母材以獲得芯材的步驟包括:
以100至150米/分鐘的伸線速率,使用減面率為7%至9%的多重鉆石眼模伸線母材,以獲得經伸線加工的母材;以及
以100至150米/分鐘的伸線速率,使用出口眼模孔徑值為15微米至50微米的多重鉆石眼模伸線經伸線加工的母材,以獲得芯材。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的制備方法,其中母材的線徑為50至200微米。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的制備方法,其中芯材含有99.99重量百分比以上的無氧銅或單晶銅。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其中芯材進一步包含銀、鐵、錳、砷、磷、硫、鈣、鎂或其組合。
7.一種封裝焊線,其由權利要求1至6中任一項所述的制備方法所制得,且封裝焊線包含芯材及包覆于芯材表面的抗氧化層,以整體封裝焊線為基準,抗氧化層的材料的含量為1重量百分比至5重量百分比,該抗氧化層的材料包含鈀,該抗氧化層的厚度為50至130納米,其中封裝焊線的拉伸率為4%至20%,拉斷力為3gf至48gf。
8.根據權利要求7所述的封裝焊線,其中封裝焊線的芯材的線徑為15至50微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





