[發明專利]一種LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201410362471.7
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN105449068A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 王磊;朱琳;王強
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 路凱;胡彬

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

襯底；

外延層，所述外延層位于所述襯底上；

透明電極層，所述透明電極層位于所述外延層上；

至少兩個槽，所述槽沿縱向穿過所述透明電極層且底部位于所述外延層中，所述槽分布在所述透明電極層的邊緣處；

絕緣層，所述絕緣層襯在所述槽的側壁上以及所述槽口邊緣的透明電極層上；

N型電極，所述N型電極位于所述絕緣層上；以及

P型電極，所述P型電極位于所述透明電極層上，其中，所述P型電極到所述N型電極的距離均相等。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延層包括N型GaN層、InGaN或者GaN多量子阱有源層和P型GaN層，其中，所述N型GaN層位于所述襯底上，所述InGaN或者GaN多量子阱有源層位于所述N型GaN層上，所述P型GaN層位于所述InGaN或者GaN多量子阱有源層上。

3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述槽的底部位于所述N型GaN層中；

所述N型電極與所述N型GaN層直接接觸。

4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述槽的橫截面為圓形、長方形、正方形中的一種；

所述槽的個數為4個、5個、6個、7個或者8個。

5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明電極層的材料為ITO、ZnO或者Ni和Au合金；

所述絕緣層的材料為SiO₂、Si₃N₄、SiON中的一種；

所述N型電極和所述P型電極的材料均為Ti、Cr、Pt、Au、Ni、Al、Be、Ge中的一種。

6.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述槽沿所述透明電極層的邊緣均勻分布。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片通過倒裝共晶焊焊接在電路板上，其中，所述電路板包括基板以及位于所述基板上的正極和負極，且所述正極與所述負極隔開；

所述P型電極位于所述正極上，所述N型電極位于所述負極上。

8.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成外延層；

在所述外延層上形成透明電極層；

形成沿縱向穿過所述透明電極層且底部位于所述外延層中的至少兩個槽，其中，所述槽分布在所述透明電極層的邊緣處；

在所述槽的側壁上以及所述槽口邊緣的透明電極層上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成N型電極；以及

在所述透明電極層上形成P型電極，其中，所述P型電極到所述N型電極的距離均相等。

9.根據權利要求8所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在襯底上形成外延層，包括：在襯底上依次形成N型GaN層、InGaN或者GaN多量子阱有源層和P型GaN層。

10.根據權利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述槽的底部形成在所述N型GaN層中；

所述N型電極與所述N型GaN層直接接觸。