[發明專利]一種納米管材料的制備方法有效
| 申請號: | 201410362282.X | 申請日: | 2014-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN104117332A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 孫力 | 申請(專利權)人: | 孫力 |
| 主分類號: | B01J19/00 | 分類號: | B01J19/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 材料 制備 方法 | ||
1.一種納米管材料的制備方法,其特征在于包括:
提供包含至少一納米孔的模板,并在所述納米孔內生長犧牲材料;
生長保護材料,至少用以掩蓋所述犧牲材料的一端面;
至少去除模板的部分層面材料,至少使部分犧牲材料和所述保護材料從模板中露出;
圍繞自所述模板中露出的犧牲材料生長選定材料,從而形成納米管結構。
2.根據權利要求1所述的納米管材料的制備方法,其特征在于還包括:至少去除所述犧牲材料和保護材料,獲得所述納米管材料。
3.根據權利要求1-2中任一項所述的納米管材料的制備方法,其特征在于包括:至少采用電化學沉積、無電沉積方式中的任一種生長所述選定材料從而形成所述納米管結構。
4.根據權利要求1-2中任一項所述的納米管材料的制備方法,其特征在于還包括:至少選用物理沉積、化學沉積或電化學沉積方式在所述納米孔內生長犧牲材料。
5.根據權利要求4所述的納米管材料的制備方法,其特征在于還包括:至少在所述模板的局部表面設置用作電化學沉積的工作電極的導電層,并使所述導電層至少覆蓋所述納米孔的另一端面。
6.根據權利要求1所述的納米管材料的制備方法,其特征在于所述模板包括層疊設置的第一模板和至少一第二模板,所述第一模板中的至少一納米孔還與所述第二模板中的相應納米孔連接形成至少一連續納米孔。
7.根據權利要求6所述的納米管材料的制備方法,其特征在于包括:提供包含至少一納米孔的第一模板,并至少在所述第一模板上生長形成第二模板,同時至少在第一模板的納米孔和第二模板內連續生長至少一納米柱狀的犧牲材料。
8.根據權利要求6或7所述的納米管材料的制備方法,其特征在于包括:除去疊設于第一模板上的至少一第二模板,使部分犧牲材料自第一模板中露出。
9.根據權利要求1所述的納米管材料的制備方法,其特征在于所述選定材料包括金屬或金屬氧化物、非金屬材料中的任一種或兩種以上的組合。
10.根據權利要求1-2、5-7中任一項所述的納米管材料的制備方法,其特征在于包括:至少采用物理或化學溶解、物理或化學刻蝕方式中的任意一種至少除去所述模板的表層區域。
11.根據權利要求1-2、5-7中任一項所述的納米管材料的制備方法,其特征在于所述模板采用包含復數個納米孔的多孔模板。
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