[發明專利]一種集成ESD防護功能的高頻共模LC濾波設計方法在審
申請號: | 201410362080.5 | 申請日: | 2014-07-28 |
公開(公告)號: | CN105321876A | 公開(公告)日: | 2016-02-10 |
發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工大華生電子有限公司 |
主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/768;H01L21/98;H01L21/56 |
代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
地址: | 150028 黑龍江省哈爾濱*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 集成 esd 防護 功能 高頻 lc 濾波 設計 方法 | ||
1.一種集成ESD防護功能的高頻共模LC濾波設計方法,其特征是用硅基制造的高頻共模濾波電感和TVS二極管進行組合封裝后形成一顆完整芯片的設計方法。
2.根據權利要求1所述的一種集成ESD防護功能的高頻共模LC濾波設計方法,其特征在于,制作高頻共模濾波電感時需要采用電阻率大于3K的區熔單晶硅片,在其上進行硅基底的制作及電感銅線圈的制作,利用硅基底實現高頻共模電感的設計,并依據封裝要求進行磨片。
3.根據權利要求1所述的一種集成ESD防護功能的高頻共模LC濾波設計方法,其特征在于,通過傳統的TVS設計工藝,實現一款高抗靜電、極低電容值的TVS二極管設計,并依據封裝要求進行磨片。
4.根據權利要求1所述的一種集成ESD防護功能的高頻共模LC濾波設計方法,其特征在于,將權利要求2和權利要求3中所述的硅基高頻共模濾波電感與TVS二極管進行組合封裝,實現性能高、體積小的發明設計理念。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造