[發(fā)明專利]多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)、多結(jié)太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410361406.2
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN105280746B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李華;吳文俊;顏建;王偉明;楊軍
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇宜興德融科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/036;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 楊娟奕

1.一種多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，包括：

GaAs襯底；

在GaAs襯底上的GaInP第一子電池；

在GaInP第一子電池上的GaAs第二子電池；和

在GaAs第二子電池上的InGaAs第三子電池，

其特征在于，GaAs襯底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面5～20度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，GaAs襯底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面15度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多結(jié)太陽能電池還包括：

在GaAs襯底上的腐蝕截止層或剝離犧牲層；

所述GaInP第一子電池設(shè)置在所述腐蝕截止層或剝離犧牲層上；

在GaInP第一子電池上的第一隧穿結(jié)；

所述GaAs第二子電池設(shè)置在所述第一隧穿結(jié)上；

在GaAs第二子電池上的第二隧穿結(jié)；

在第二隧穿結(jié)上的GaInP或AlGaInAs第一緩沖層；

所述InGaAs第三子電池設(shè)置在所述第一緩沖層上；和

在InGaAs第三子電池上的接觸層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多結(jié)太陽能電池還包括：

在InGaAs第三子電池和接觸層之間的InGaAs第四子電池。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多結(jié)太陽能電池還包括：

在InGaAs第三子電池上的第三隧穿結(jié)，

在第三隧穿結(jié)上的GaInP或AlGaInAs第二緩沖層；和

所述第四子電池設(shè)置在GaInP或AlGaInAs第二緩沖層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多結(jié)太陽能電池外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多結(jié)太陽能電池還包括至少一個另外的子電池。

7.一種多結(jié)太陽能電池，包括：

GaInP第一子電池；

在GaInP第一子電池上的GaAs第二子電池；和

在GaAs第二子電池上的InGaAs第三子電池，

其特征在于，各個子電池的表面晶向為(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面5～20度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多結(jié)太陽能電池，其中，各個子電池的表面晶向為(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面15度。

9.一種多結(jié)太陽能電池的制備方法，包括步驟：

制備GaAs襯底；

在GaAs襯底上制備GaInP第一子電池；

在GaInP第一子電池上制備GaAs第二子電池；和

在GaAs第二子電池上制備InGaAs第三子電池，

其特征在于，所制備的GaAs襯底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面方向5～20度，在具有該偏角的GaAs襯底的表面上制備GaInP第一子電池。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多結(jié)太陽能電池的制備方法，其中，GaAs襯底的偏角采用(001)面偏向(101)或(-101)或(011)或(0-11)面15度。