[發明專利]一種高溫黑體輻射源石墨黑體腔制造方法有效
申請號: | 201410361325.2 | 申請日: | 2014-07-25 |
公開(公告)號: | CN104075807B | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
發明(設計)人: | 董磊;張學聰;蔡靜;張術坤 | 申請(專利權)人: | 中國航空工業集團公司北京長城計量測試技術研究所 |
主分類號: | G01J5/00 | 分類號: | G01J5/00 |
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地址: | 100095*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 高溫 黑體 輻射源 石墨 體腔 設計 方法 | ||
1.一種高溫黑體輻射源石墨黑體腔制造方法,其特征在于:其包括如下步驟:
步驟1:在高溫黑體輻射源的雙黑體腔中的一側石墨黑體腔的錐形段的內壁面上取2個微元環,2個微元環分別用符號C0和C1表示;微元環C0和C1在石墨黑體腔內壁面上的面積分別為A0和A1;當微元環C0和C1趨于無窮窄時,微元環C0和C1在石墨黑體腔內壁面上的面積分別用dA0和dA1表示;所述微元環C0和C1均與高溫黑體輻射源同軸,且微元環C0和C1的兩端端面所在平面均垂直于高溫黑體輻射源的軸線;
步驟2:微元環C0和C1對腔口圓面A的輻射換熱角系數分別為F0和F1;微元環C0的兩端端面在所述高溫黑體輻射源的石墨黑體腔壁上的環形截面之間的石墨黑體腔壁部分S0的電阻值為R0,微元環C1的兩端端面在所述高溫黑體輻射源的石墨黑體腔壁上的環形截面之間的石墨黑體腔壁部分S1的電阻值為R1,通過所述高溫黑體輻射源的石墨黑體腔壁的S0段與S1段的電流相同,電流值均為I;假設兩微元環C0和C1對石墨黑體腔內輻射換熱的貢獻一樣,反過來,石墨黑體腔內壁面對兩個微元環C0和C1的作用一樣,從而得出公式(1);
I2·dR0·(1-F0)=I2·dR1·(1-F1) (1)
步驟3:在與微元環C0和C1位于同一側石墨黑體腔的錐形段的內壁面上取任意一微元環,用符號C表示;微元環C與高溫黑體輻射源同軸,且微元環C的兩端端面所在平面均垂直于高溫黑體輻射源的軸線;微元環C對腔口圓面A的輻射換熱角系數為F;利用電阻計算公式及微元環對腔口圓面的輻射換熱角系數公式,由步驟2中得到的公式(1)得出公式(2);
其中,t為石墨管錐形段的壁厚;r為石墨黑體腔半徑;x為微元環C至腔口圓面A的距離;k為未知常數;
步驟4:將步驟3得到的公式(2)看做是以x為變量的函數;在x∈(0,4r)區間內對公式(2)中的t進行線形擬合,通過估計并調整k值,使得擬合的直線在x=3.2r時t=b;其中,b是石墨管非錐形段的壁厚,b的值由人為預先設定;
選擇x=3.2r處,是因為輻射換熱角系數F在(0,4r)區間內擬合直線經過此點,且擬合總體等效效果最好;
經過步驟4的操作,得到公式(2)中的未知常數k;在公式(2)中,當x=0時,得到所擬合直線的截距為a,a是石墨管端部最薄處石墨管的厚度。
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