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[發明專利]一種基于流量計量裝置的流量采集系統有效

專利信息
申請號: 201410361272.4 申請日: 2014-07-28
公開(公告)號: CN104075738A 公開(公告)日: 2014-10-01
發明(設計)人: 劉勛 申請(專利權)人: 成都千嘉科技有限公司
主分類號: G01D5/14 分類號: G01D5/14;G08C19/02
代理公司: 四川力久律師事務所 51221 代理人: 林輝輪;王蕓
地址: 610211 四川省成都*** 國省代碼: 四川;51
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 基于 流量 計量 裝置 采集 系統
【說明書】:

技術領域

發明涉及流量測量技術領域,尤其涉及一種基于流量計量裝置的流量采集系統。

背景技術

現有技術中,在傳感器的信號處理時,由于傳感器的輸出信號非常微弱,只有幾十毫伏,有的甚至只有幾十微伏,因此需要對信號進行放大、整形等處理,目前流量計量裝置針對信號的整形多采用單限比較器,該方法的抗干擾能力有限,從而造成對各種干擾信號去除能力差,去除不盡,或把有用信號也去除,或去除有用信號保留干擾信號。

發明內容

為解決現有流量傳感器信號處理電路在信號放大整形的同時抗干擾能力差的問題,本發明提供一種基于流量計量裝置的流量采集系統。

包括流量采集模塊、信號放大模塊和濾波整形模塊,所述流量采集模塊采集信號經所述信號放大模塊放大后傳入所述濾波整形模塊,所述濾波整形模塊的輸出信號傳送至流量計量裝置主控模塊。

其中,所述濾波整形模塊包括第一施密特觸發器、第二施密特觸發器、第三施密特觸發器以及用于將信號中的交流負半波干擾信號去除的半波整形電路。

所述第一施密特觸發器的輸入端與所述信號放大模塊連接,所述第一施密特觸發器的輸出端與所述半波整形電路連接,所述半波整形電路通過第二施密特觸發器、第三施密特觸發器與流量計量裝置主控模塊連接。

進一步的,所述流量傳感器為采用葉輪磁鐵和零功耗磁敏傳感器組成的羅茨流量計傳感器。

進一步的,所述信號放大模塊包括:第一電阻、第二電阻、第一二極管、三極管,所述第二電阻、第一電阻、二極管首尾連接,且二極管的正、負極分別連接三極管的基極和發射極;

第一電阻和第二電阻用于確定所述信號放大模塊的信號放大倍數,該放大倍數為第一電阻阻值與第二電阻阻值的比值。?

三極管用于將所述流量傳感器傳出的信號放大;

二極管用于電路過流保護。

進一步的,所述半波整形電路包括第二二極管、第三電阻和第一電容。

所述第二二極管的正極與第一施密特觸發器的輸出端連接,所述第二二極管的負極與第二施密特觸發器的輸入端連接;

所述第三電阻與第一電容在地線與第二二極管負極之間并聯連接。

本發明具有以下有益效果:

本發明采用施密特觸發器以及半波整形電路對羅茨流量計傳感器采集到的信號進行濾波整形,具有更強的抗干擾能力,從而為流量計量裝置主控模塊提供更加精準、穩定的信號。

附圖說明:

圖1為本發明的電路框圖。

圖2為信號放大模塊和濾波整形模塊的電路圖。

其中,1為流量傳感器模塊;2為信號放大模塊;3為濾波整形模塊。

具體實施方式

下面結合試驗例及具體實施方式對本發明作進一步的詳細描述。但不應將此理解為本發明上述主題的范圍僅限于以下的實施例,凡基于本發明內容所實現的技術均屬于本發明的范圍。

如圖1、圖2所示,本實施例提供一種基于流量計量裝置的流量采集系統。

包括流量采集模塊1、信號放大模塊2和濾波整形模塊3,流量采集模塊1采集的信號經信號放大模塊2放大后傳入濾波整形模塊3,濾波整形模塊3的輸出信號傳送至流量計量裝置主控模塊。

其中,濾波整形模塊3包括第一施密特觸發器、第二施密特觸發器、第三施密特觸發器以及,

用于將信號中的交流負半波干擾信號去除的半波整形電路。

本實施例實際采用施密特觸發器芯片HEF4093BT,該芯片共包含有四組各自獨立的施密特觸發器(實際使用其中三組),如圖2所示,第一施密特觸發器的輸入端1A、1B與所述信號放大模塊連接,所述第一施密特觸發器的輸出端1Y與所述半波整形電路連接,所述半波整形電路輸出信號輸入第二施密特觸發器的輸入端2A、2B,第二施密特觸發器的輸出端2Y連接第三施密特觸發器的輸入端3A、3B,第三施密特觸發器的輸出端3Y將整形后的信號傳送至流量計量裝置主控模塊。

所述流量傳感器為采用葉輪磁鐵和零功耗磁敏傳感器組成的羅茨流量計傳感器。

如圖2所示,所述信號放大模塊包括:

第一電阻R1、第二電阻R2、第一二極管D1、三極管Q1,所述第二電阻R2、第一電阻R1、第一二極管D1首尾連接,且第一二極管D1的正、負極分別連接三極管的基極和發射極,第二電阻R2的兩端分別連接所述流量采集模塊的兩個輸出端;

三極管Q1用于將流量傳感器傳出的信號放大;

二極管D1用于電路過流保護。

進一步的,所述半波整形電路包括二極管D2、第三電阻R3和第一電容C1;

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