[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410361182.5
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104347437A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮木美典;山田勝
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供布線襯底，所述布線襯底包括上表面、與所述上表面相對的下表面、設(shè)置在所述下表面上的第一器件區(qū)域、設(shè)置在所述下表面上且設(shè)置在所述第一器件區(qū)域附近的第二器件區(qū)域、設(shè)置在所述第一器件區(qū)域和所述第二器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域、設(shè)置在所述下表面上并且設(shè)置在所述第一器件區(qū)域、所述第二器件區(qū)域和所述劃片區(qū)域周圍的外圍部分、設(shè)置在所述外圍部分中并且不設(shè)置在所述劃片區(qū)域的延伸線上的目標(biāo)標(biāo)記、以矩陣形狀設(shè)置在所述第一器件區(qū)域中的多個(gè)第一凸塊焊區(qū)、以矩陣形狀設(shè)置在所述第二器件區(qū)域中的多個(gè)第二凸塊焊區(qū)、以及形成在所述下表面之上使得露出所述第一凸塊焊區(qū)和所述第二凸塊焊區(qū)的絕緣膜；其中：

所述第一凸塊焊區(qū)具有第一最外外圍凸塊焊區(qū)行，所述第一最外外圍凸塊焊區(qū)行布置在所述第一凸塊焊區(qū)中的最外外圍行中并且最靠近所述劃片區(qū)域，

所述第二凸塊焊區(qū)具有第二最外外圍凸塊焊區(qū)行，所述第二最外外圍凸塊焊區(qū)行布置在所述第二凸塊焊區(qū)中的最外外圍行中并且最靠近所述劃片區(qū)域，以及

所述目標(biāo)標(biāo)記在平面圖中被設(shè)置在所述劃片區(qū)域的延伸線與所述第一最外外圍凸塊焊區(qū)行和所述第二最外外圍凸塊焊區(qū)行的延伸線中的每個(gè)延伸線之間，

(b)在所述步驟(a)之后，將第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)安裝在所述布線襯底的上表面上；

(c)在所述步驟(b)之后，利用樹脂密封所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片；

(d)在所述步驟(c)之后，分別在所述第一凸塊焊區(qū)和所述第二凸塊焊區(qū)上形成多個(gè)第一外部端子和多個(gè)第二外部端子；以及

(e)在所述步驟(d)之后，基于所述目標(biāo)標(biāo)記指定所述劃片區(qū)域，并且沿著所述劃片區(qū)域切割所述布線襯底，其中

在所述步驟(e)中，使用劃片刀切割所述布線襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在所述布線襯底的上表面之上形成絕緣膜；

其中在所述第一凸塊焊區(qū)和所述第二凸塊焊區(qū)的表面中的每個(gè)表面上形成鍍膜；

其中在形成所述鍍膜的步驟中，通過使用在所述劃片區(qū)域中形成的饋線來形成所述鍍膜；以及

其中在形成所述鍍膜之后，去除在所述布線襯底的所述劃片區(qū)域中形成的所述饋線和覆蓋所述饋線的所述絕緣膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在所述布線襯底的劃片區(qū)域中，設(shè)置用于鍍覆以電連接到所述第一凸塊焊區(qū)中的每一個(gè)和所述第二凸塊焊區(qū)中的每一個(gè)的饋線；以及

其中所述饋線覆蓋有所述絕緣膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述目標(biāo)標(biāo)記包括第一圖案和第二圖案，所述第二圖案設(shè)置在所述第一圖案附近并且與所述第一圖案分開。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述第一圖案和所述第二圖案的尺寸彼此不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述第一圖案和所述第二圖案中的任一個(gè)具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿著所述劃片區(qū)域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分與所述第一延伸部分相交。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述第一圖案和所述第二圖案中的每一個(gè)具有第一延伸部分和第二延伸部分，所述第一延伸部分沿著所述劃片區(qū)域的延伸方向延伸，所述第二延伸部分與所述第一延伸部分相交。