[發明專利]用于處理基材的設備有效
| 申請號: | 201410361067.8 | 申請日: | 2010-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN104091777B | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 沃爾夫岡·里茨勒;巴特·裘特凡梅斯特 | 申請(專利權)人: | 伊帆科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L23/14;H01L23/538;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 尹淑梅,劉燦強 |
| 地址: | 瑞士特*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 基材 設備 | ||
1.一種用于處理基材(1)的設備,其包含兩個除氣單元和至少一個后續處理單元,其中,
一個第一除氣單元包含具有加熱所述基材(1)的裝置的氣鎖器及處理監測傳感器,所述氣鎖器連接于排空系統,
一個第二除氣單元包含用以加熱所述基材的裝置、用以吹氣至所述基材之背面的氣體供應器、被構造為檢測除氣狀態并且一旦確定了蒸發的穩態就終止除氣過程的處理監測傳感器,所述第二除氣單元連接于排空系統,以及
所述至少一個后續處理單元包含用以主動冷卻所述基材(1)的裝置。
2.如權利要求1所述之設備,其中,用以冷卻所述基材(1)的裝置是包含加熱件的致冷夾。
3.如權利要求1或2所述之設備,其中,除氣單元與所述至少一個后續處理單元包含接收針,所述接收針布置成接收圓形彎曲的所述基材(1)。
4.如權利要求1或2所述之設備,其中,除氣單元與所述至少一個后續處理單元中的一個或多個包含冷卻阻礙,用以捕取由所述基材(1)所發出的氣體物質。
5.如權利要求1或2所述之設備,其中,所述第二除氣單元和/或所述至少一個后續處理單元還包含氣體管線,用以提供氧氣至所述第二除氣單元和/或所述至少一個后續處理單元,以及提供RF電源供應至所述第二除氣單元,用以臨場清潔。
6.如權利要求1或2所述之設備,其中,所述第一除氣單元是群集型多單元處理設備中的輸入氣鎖器。
7.如權利要求3所述之設備,其中,除氣單元與所述至少一個后續處理單元中的一個或多個包含冷卻阻礙,用以捕取由所述基材(1)所發出的氣體物質。
8.如權利要求3所述之設備,其中,所述第二除氣單元和/或所述至少一個后續處理單元還包含氣體管線,用以提供氧氣至所述第二除氣單元和/或所述至少一個后續處理單元,以及提供RF電源供應至所述第二除氣單元,用以臨場清潔。
9.如權利要求4所述之設備,所述第二除氣單元和/或所述至少一個后續處理單元還包含氣體管線,用以提供氧氣至所述第二除氣單元和/或所述至少一個后續處理單元,以及提供RF電源供應至所述第二除氣單元,用以臨場清潔。
10.如權利要求3所述之設備,其中,所述第一除氣單元是群集型多單元處理設備中的輸入氣鎖器。
11.如權利要求4所述之設備,其中,所述第一除氣單元是群集型多單元處理設備中的輸入氣鎖器。
12.如權利要求5所述之設備,其中,所述第一除氣單元是群集型多單元處理設備中的輸入氣鎖器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





