[發(fā)明專利]一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410360317.6 | 申請日： | 2014-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN104091879A | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡溢文 | 申請（專利權(quán)）人： | 胡溢文 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11254 | 代理人： | 劉伍堂 |
| 地址： | 215122 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 雙面 發(fā)光 led 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片，其特征在于：芯片（9）包括P電極（1）、P極電流擴(kuò)散層（2）、P氮化鎵P-Gan（3）、N電極（4）、N極電流擴(kuò)散層（5）、N氮化鎵N-Gan（6）和藍(lán)寶石襯底（7），藍(lán)寶石襯底（7）的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan（6），N氮化鎵N-Gan（6）的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan（3），P氮化鎵P-Gan（3）的上表面貼附有P極電流擴(kuò)散層（2），P極電流擴(kuò)散層（2）的上表面貼附有P電極（1），N氮化鎵N-Gan（6）的上表面另一端貼附有N極電流擴(kuò)散層（5），N極電流擴(kuò)散層（5）的上表面貼附有N電極（4）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的芯片（9）的P電極（1）和N電極（4）表面設(shè)有錫球（10），芯片（9）倒置并與基板（12）表面的印刷電路（11）固定，芯片（9）與印刷電路（11）之間采用助焊劑焊接錫球（10）固定，基板（12）和芯片（9）的表面、基板（12）的底面分別涂覆有熒光膠（13）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的基板（12）為非透明基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的P電極（1）為金錫合金或錫凸點。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面發(fā)光的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的N電極（4）為金錫合金或錫凸點。
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