[發明專利]利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法在審
| 申請號： | 201410360305.3 | 申請日： | 2014-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN104155158A | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 陳以欣;李曉旻 | 申請（專利權）人： | 勝科納米（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/04;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 fib 切割 實現 納米 樣品 三維 觀測 方法 | ||
1.一種利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，該方法包括：
提供待測樣品，所述待測樣品具有缺陷；
對所述待測樣品的感興趣區域沿第一方向切割進行第一TEM薄片樣品制備，獲得第一TEM薄片樣品，并從第二方向進行TEM觀測；
對所述第一TEM薄片樣品沿第二方向切割進行第二TEM薄片樣品制備，獲得第二TEM薄片樣品，并從第一方向進行TEM觀測；
對所述第二TEM薄片樣品沿第一方向切割進行第三TEM薄片樣品制備，獲得第三TEM薄片樣品，并從第三方向進行TEM觀測；
所述第一方向、第二方向及第三方向兩兩垂直。
2.如權利要求1所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，利用FIB切割進行第一TEM薄片樣品制備，所述第一TEM薄片樣品的厚度大于等于所述缺陷所占據的最大長度。
3.如權利要求2所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，所述第一TEM薄片樣品的厚度比所述缺陷所占據的最大長度大50nm～100nm。
4.如權利要求2所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，所述第一TEM薄片樣品為與待測樣品上表面呈0°或90°進行制備。
5.如權利要求2所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，在進行切割前，先在待測樣品表面形成第一保護層。
6.如權利要求5所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，利用FIB切割并參考第一方向進行的TEM觀測結果進行第二TEM薄片樣品制備。
7.如權利要求6所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，在進行切割前，先利用FIB電子束在第一方向進行的TEM觀測結果旁做標記，并在第一TEM薄片樣品表面形成第二保護層，所述第二保護層的厚度大于第一保護層的厚度。
8.如權利要求7所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，所述第二保護層的厚度為50nm～500nm。
9.如權利要求8所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，利用FIB切割并參考第二方向進行的TEM觀測結果進行第三TEM薄片樣品制備。
10.如權利要求9所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，在進行切割前，先利用FIB電子束在第二方向進行的TEM觀測結果旁做標記，并在第二TEM薄片樣品表面形成第三保護層，所述第三保護層的厚度大于第二保護層的厚度。
11.如權利要求9所述的利用FIB切割以實現納米級樣品的三維觀測方法，其特征在于，利用FIB原位提取法進行第二TEM薄片樣品和第三TEM薄片樣品制備。
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