[發(fā)明專利]高電壓MiP電容器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410360152.2
• 申請(qǐng)日: 2014-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN105448895A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳軼群;陳宗高;王海強(qiáng);蒲賢勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種高電壓MiP電容器，其特征在于，包括：

多晶硅極板，置于所述高電壓MiP電容器的底部作為其第一下極板；

第一金屬極板，置于所述高電壓MiP電容器的頂部作為其第二下極板；

第二金屬極板，設(shè)置于所述多晶硅極板和所述第一金屬極板之間，作為所述高電壓MiP電容器的上極板；以及

電介質(zhì)層，填充于所述多晶硅極板和所述第二金屬極板之間以及所述第一金屬極板和所述第二金屬極板之間。

2.如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述多晶硅極板和所述第一金屬極板經(jīng)由第一通道電性連接。

3.如權(quán)利要求2所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，還包括：

電性連接頭，設(shè)置于所述高電壓MiP電容器的頂部，所述電性連接頭經(jīng)由第二通道電性連接所述第二金屬極板。

4.如權(quán)利要求3所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述電性連接頭和所述第一金屬極板以相同的工藝和材料涂布于所述高電壓MiP電容器的同一平面上。

5.如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述電介質(zhì)層由層間介質(zhì)隔離材料構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求5所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述層間介質(zhì)隔離材料的厚度在2000埃至30000埃之間。

7.如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述電介質(zhì)層的厚度根據(jù)擊穿電壓或者電容值的要求而選定。

8.如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述第二金屬極板的厚度在200埃至3000埃之間。

9.如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述高電壓MiP電容器的工作電壓在0伏至1200伏之間。

10.如權(quán)利要求9所述的高壓MiP電容器，其特征在于，所述高壓MiP電容器的工作電壓大于10伏，且所述高電壓MiP電容器的擊穿電壓大于80伏。

11.如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器，其特征在于，所述第一金屬極板和所述第三金屬極板之間的電介質(zhì)層的厚度不同于所述第二金屬極板和所述第三金屬極板之間的電介質(zhì)層厚度。

12.一種如權(quán)利要求1所述的高電壓MiP電容器的制造方法，其特征在于，包括：

a.在基板上沉積多晶硅極板，作為所述高電壓MiP電容器的第一下極板；

b.在所述多晶硅極板上沉積第一電介質(zhì)層；

c.在所述第一電介質(zhì)層上形成第二金屬極板，作為所述高電壓MiP電容器的上極板；

d.沉積第二電介質(zhì)層；以及

e.在所述第二電介質(zhì)層上形成第一金屬極板，作為所述高電壓MiP電容器的第二下極板。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟e中，進(jìn)一步包括：在所述第二電介質(zhì)層上進(jìn)一步形成電性連接頭。

14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟d和步驟e之間，進(jìn)一步包括：

對(duì)已沉積的第二電介質(zhì)層的上表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；

在所述第二電介質(zhì)層上開孔；

在所述開孔中沉積導(dǎo)電材料，以分別形成電性連接所述多晶硅極板和所述第一金屬極板的第一通道和電性連接所述第二金屬極板和所述電性連接頭的第二通道；以及

去除所述第二電介質(zhì)層的上表面上的不需要的金屬部分。