[發明專利]一種選擇性發射極太陽能電池

在審

• 申請號: 201410360134.4
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104091840A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 司紅康;馬梅;謝發忠
• 申請（專利權）人: 六安市大宇高分子材料有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種太陽能電池，尤其是涉及一種選擇性發射極太陽能電池。?

背景技術

???????太陽能，是取之不竭、用之不盡的無污染、無動力綠色能源，因此太陽能電池技術是當前國際上最具潛力和現實意義的新能源產業，受到各國政府的高度重視，是各國科研機構的新能源研發重點；

???????對于常規生產用太陽能電池而言，想要獲得較高的短路電流密度，則需要得到輕摻雜濃度和較淺的節深；而要獲得較高的開路電壓，則需要較高的表面摻雜濃度。同時，較高的摻雜濃度有利于獲得較好的歐姆接觸，減小電池的串聯電阻。選擇性發射極太陽能電池結構能夠較好的平衡上述要求，但是以往的選擇性發射極太陽能電池在光生載流子收集效率以及光吸收效率低的問題，甚至往往會出現由于表面濃度過高而出現“死層”的現象。

發明內容

本發明提供一種選擇性發射極太陽能電池，該選擇性發射極太陽能電池結構能夠在整體上提高光吸收效率，光生載流子收集效率，避免表面死層現象；

???????本發明涉及了一種太陽能電池，尤其是一種選擇性發射極太陽能電池，包括：

第一導電類型的矩形半導體基板，該基板具有第一表面和第二表面；

在第一表面上具有第二導電類型的第一摻雜區域，所述第一摻雜區域覆蓋整個第一表面；

多個第二導電類型的第二摻雜區域，從所述第一表面垂直向上凸起，并沿著與基板的一個側邊平行的方向延伸，所述多個第二摻雜區域的摻雜濃度大于所述第一摻雜區域濃度；

背電場和背電極位于所述第二表面；

側壁電極層，所述電極層與所述第二摻雜區域的側壁接觸；

本發明的另一個方面，還包括多個電極條，在第一表面上沿與第二摻雜區域延伸方向不同的方向延伸，并且在電極條與第二摻雜區域和電極層相交叉的地方，電極條與第二摻雜區域和電極層接觸；

側壁電極層完全覆蓋第二摻雜區域的側壁，但是在第二摻雜區域的上表面沒有分布所述側壁電極層；

進一步的，所述背電極為埋入式電極，并包括在所述第二表面沿著第一方向延伸的多條第一背電極。所述背電極還包括第二環形電極。所述第一背電極位于所述第二環形電極內，并且所述第一電極的兩端與所述環形電極接觸；

進一步的，本發發明的太陽能電池還包括：防反射膜，位于未被第二摻雜區域覆蓋的第一摻雜區域和第二摻雜區域的上表面上，在第二摻雜區域側壁的電極層沒有所述防反射膜。所述防反射膜為雙層結構，其中更靠近光照射的上層折射率大于下層；

本發明的另外一方面，嵌入電極層與側壁電極層平行，并且其厚度等于或小于側壁電極層，或者嵌入電極層設置成沿折線的方式延伸，并在折角處與側壁電極層接觸。

附圖說明

???????圖1?本發明的一個實施例的太陽能電池的立體示意圖（未顯示防反射層）；

???????圖2?本發明的另一個實施例的太陽能電池的立體示意圖（未顯示防反射層）；

圖3?圖1中沿A-B方向的剖面圖；

圖4?本發明中的一個實施例的太陽能電池背電極平面圖；????

圖5?圖4中沿C-D方向的剖面圖。?

具體實施方式

為了使得本發明的目的和有益效果及優點變得更加直觀和清除，以下將結合實施例和附圖，來對本發明做進一步詳細的說明。應當理解，此處提供的具體實施例僅是用以理解本發明，并不能限定本發明；

說明書中使用的“A層在B層之上”應理解為在位置關系上B層位于A層的更上層，但不能排除在A層和B層之間還具有額外的層；

本發明的一個實施例，請參考圖1和圖3，為制作太陽能電池，尤其是選擇性發射極太陽能電池提供的矩形半導體基板（1），該基板（1）可以為N-型或者P-型單晶硅，多晶硅太陽能電池通用的基板，在形成太陽能電池前經過蝕刻清洗干凈。該基板（1）具有第一表面(S1)和第二表面(S2)，第一表面(S1)為面對太陽光照射的表面，第二表面(2)為背對太陽光照射的表面。在第一表面(S1)處具有第一摻雜區域（2），第一摻雜區域（2）與基板（1）的摻雜類型相反，例如選用N-型基板是，該第一摻雜區域（2）為P型，第一摻雜區域（2）為連續的層狀區域，布滿整個基板（1）的第一表面(S1)，并且具有第一薄層電阻率；