[發明專利]一種選擇性發射極太陽能電池的制造方法

在審

• 申請號: 201410360118.5
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN104091858A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 司紅康;馬梅;謝發忠
• 申請（專利權）人: 六安市大宇高分子材料有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能電池制備方法，包括以下步驟：

(1)提供第一導電類型的單晶硅片，?NaOH溶液對所述單晶硅片進行損傷層去除，隨后對所述單晶硅片進行去離子水清洗和烘干處理；

（2）對所述單晶硅片的正面進行擴散工藝，形成第二導電類型摻雜區，所述摻雜區結深為0.5-1.5um；

（3）反蝕工藝，形成高摻雜區和低摻雜區；

（4）沉積抗反射膜。

2.?如權利要求1所述的太陽能電池制備方法，在步驟（2）和步驟（3）之間還包括正面電極形成步驟，所述正面電極形成步驟包括：在所述單晶硅片摻雜區的正面蝕刻形成正面電極溝槽圖案，所述正面電極溝槽的深度為所述結深的四分之一到二分之一；以及在該正面電極溝槽圖案的溝槽內填充銀漿料。

3.如權利要求1-2所述的太陽能電池制備方法，所述擴散工藝包括：以氮氣為攜磷氣體，三氯氧磷為磷源，在950-1050攝氏度溫度范圍內進行初擴散，擴散時間為20分鐘；之后將溫度以20攝氏度/分鐘的速度降溫，同時進行推進擴散；待溫度降至750-850攝氏度后，停止通三氯氧磷。

4.如權利要求1-2所述的太陽能電池制備方法，所述抗反射膜為雙層結構，其中更靠近光照射的上層折射率大于下層。

5.?如權利要求2所述的太陽能電池制備方法，在正面電極溝槽圖案的溝槽內填充銀漿料之后進行燒結處理以形成正面電極。

6.如權利要求5所述的太陽能電池制備方法，所述正面電極溝槽圖案包括：相互平行的多個側壁電極片溝槽對，每個側壁電極片溝槽對具有兩個相互平行的側壁電極片溝槽，側壁電極片溝槽由硅片正面的一側延伸到另一側，多個側壁電極片溝槽對之間的距離大于側壁電極片溝槽對中側壁電極片溝槽之間的距離。

7.如權利要求6所述的太陽能電池制備方法，所述側壁電極片溝槽對之間的距離是所述側壁電極片溝槽對中所述側壁電極片溝槽之間距離的2倍。

8.如權利要求6所述的太陽能電池制備方法，在所述多個側壁電極片溝槽對中的所述側壁電極片溝槽之間還具有沿折線方式延伸的嵌入電極片溝槽，該嵌入電極片溝槽在折角處與所述側壁電極片溝槽連通，并且所述多條主電極條溝槽穿過該折角處；對應的，在所述燒結處理之后，所述側壁電極片溝槽、主電極條溝槽和嵌入電極片溝槽內的銀漿料分別形成正面電極中的側壁電極片、主電極條和嵌入電極片。

9.?如權利要求8所述的太陽能電池制備方法，所述反蝕工藝包括：在硅片正面使用抗蝕刻掩膜圖案覆蓋電極區域，所述電極區域是指：多個側壁電極片對中的側壁電極片和側壁電極對中的兩個側壁電極片之間的區域，以及主電極條區域；對未被抗蝕刻掩膜圖案覆蓋的摻雜的硅片正面區域進行干法蝕刻，蝕刻深度與正面電極的深度相同，即一直蝕刻到與正面電極底部平行的位置；清洗，去除抗抗蝕刻層，至此由所述摻雜區形成了重摻雜區和低摻雜區，完成了選擇性發射極結構的制備；

其中所述側壁電極片對是指由側壁電極片溝槽對內形成的包括了兩個側壁電極片的組合。