[發明專利]一種太陽能硅片切割工藝

無效

• 申請號: 201410358445.7
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104118069A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 張力峰
• 申請（專利權）人: 蘇州晶櫻光電科技有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/00
• 代理公司: 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209
• 代理人: 陳曉岷

技術領域

本發明涉及一種切割工藝，特別是指一種太陽能硅片切割工藝。?

背景技術

太陽能硅片的切割一般都是利用硅棒在多線切割機切割成硅片，在切割的過程中都要用到切割用砂漿，而目前一般都是采用PEG切割液與碳化硅微粉混合而成，然在混合之前需要對碳化硅微粉在烘箱內烘干去除水分才可使用；且在混合時依舊會受到環境中濕度的影響，濕度過高時攪拌的砂漿中的碳化硅容易抱團，造成切割良率下降。另外，切割完成后的硅片的清洗需要消耗大量的水和化學清洗液才能去除PEG切割液和其他雜質，造成原料的浪費。另外PEG切割液的價格比較昂貴。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提供一種太陽能硅片切割工藝，該切割工藝利用DEG切割液與碳化硅混合成砂漿加入到多線切割機中進行切片，無需對碳化硅進行烘烤，避免抱團現象，同時便于清洗，減少清潔水和化學清洗液的用量。?

為解決上述技術問題，本發明的技術方案是：一種太陽能硅片切割工藝，其包括以下步驟：?

A、砂漿的配置：將碳化硅與DEG切割液按照重量比1:0.9-1:1.2的范圍加入配置罐內進行攪拌至少三個小時，攪拌持續要砂漿用完為止：?

B、將配置好的砂漿加入多線切割機的漿料罐中，利用多線切割機對硅棒進行切割，在切割時利用冷卻水先對砂漿冷卻到18-20℃之間，然后再加入硅棒切割位置；?

C、將切割好的硅片利用清潔水進行預清洗；?

D、將預清洗后的硅片放入到清洗機中進行再次清洗，清洗時添加清洗劑去除DEG切割液殘留和其他雜質；?

E、對硅片進行檢測后包裝。?

其中，優選的，所述步驟A中碳化硅的粒徑在6.5-7um。?

其中，優選的，所述步驟B中多線切割機使用的鋼線為110um或115um或120um。?

其中，優選的，所述步驟C中預清洗所使用的清潔水為自來水。?

其中，優選的，所述清潔劑為KOH或NP-10清潔劑。?

采用了上述技術方案后，本發明的效果是：由于采用了DEG切割液與碳化硅進行混合成砂漿，而DEG切割液為水性切割液，DEG的吸水性小于PEG,流動性優于PEG，那么在混合攪拌之前中碳化硅無需烘干去除水分，碳化硅依舊不會抱團，避免因抱團造成切割良率下降的現象發生。而在切割時冷卻溫度控制在18-20℃之間可以確保砂漿粘附適中，增加鋼線帶砂能力，提高切割效果。切割完成后的先用清潔水預清洗可以清理硅片上絕大部分的DEG殘留，DEG為水性切割液，易用清潔水清洗，節省了清潔水和化學清潔劑。?

具體實施方式

下面通過具體實施例對本發明作進一步的詳細描述。?

一種太陽能硅片切割工藝，其包括以下步驟：?

A、砂漿的配置：將碳化硅與DEG切割液按照重量比1:0.9-1:1.2的范圍加入配置罐內進行攪拌至少三個小時，攪拌持續要砂漿用完為止：一般優選的碳化硅與DEG切割液的重量比為，碳化硅的粒徑在6.5-7um，攪拌三個小時候才可以用于切割，DEG切割液與碳化硅在配置罐內充分攪拌，無需預先烘烤碳化硅，節省了工時，無需烤箱投入，節省了功耗，降低成本。DEG(甘二醇)切割液是一種水性切割液，流動性好于PEG,吸水性小于PEG，在25℃時，DEG的粘度為24.5Pa.s，而PEG的粘度為38Pa.s。?

B、將配置好的砂漿加入多線切割機的漿料罐中，利用多線切割機對硅棒進?行切割，在切割時利用冷卻水對硅棒切割位置進行冷卻，冷卻溫度在18-20℃之間，一般溫度在19℃時最優，而DEG切割液溫度下降其粘度會上升，因此，利用該特性，使切割溫度在19℃時，DEG粘度增加切割帶砂能力與目前普通P?EG切割時的帶砂能力接近，彌補了因粘度較低而帶來的切割力下降的影響。多線切割機使用的鋼線為110um或115um或120um。可根據切割硅片的厚度來進行選擇。?

C、將切割好的硅片利用清潔水進行預清洗；所使用的清潔水一般采用自來水即可，清潔水的預清洗可沖洗硅片上的大部分可見雜質和DEG切割液，由于DEG切割液是水性切割液，因此便于清潔，用水量減少。?

D、將預清洗后的硅片放入到清洗機中進行再次清洗，清洗時添加清洗劑去除DEG切割液殘留和其他雜質；所述清潔劑為KOH或NP-10清潔劑。此步驟主要目的是清洗一些不可見雜質，例如各種離子雜質，還有少量殘留的DEG切割液，硅粉和碳化硅顆粒。?