[發(fā)明專利]一種化學(xué)機(jī)械研磨方法和化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410357405.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN105364699B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧武鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/10
• 分類號(hào): B24B37/10;B24B53/017
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S1：提供待研磨的頂層為Al柵極層的晶圓；

步驟S2：將所述晶圓置于化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備中，用研磨墊和研磨液對(duì)所述晶圓的Al柵極層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨；

步驟S3：待將所述Al柵極層研磨至目標(biāo)位置時(shí)，去除所述化學(xué)機(jī)械研磨時(shí)在所述晶圓背面施加的壓力，將所述晶圓解除卡緊；

步驟S4：在所述晶圓為解除卡緊的狀態(tài)下，將所述研磨液或所述研磨液和H₂O₂的混合液噴灑在所述研磨墊上，以對(duì)所述研磨墊進(jìn)行清洗；

步驟S5：所述清洗完成后，從所述研磨墊中將所述晶圓移出。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述步驟S2中的化學(xué)機(jī)械研磨包括依次進(jìn)行的第一化學(xué)機(jī)械研磨、第二化學(xué)機(jī)械研磨和第三化學(xué)機(jī)械研磨，其中，在所述第三化學(xué)機(jī)械研磨將所述Al柵極層研磨至目標(biāo)位置時(shí)，執(zhí)行所述步驟S3和S4。

3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，在所述第二化學(xué)機(jī)械研磨將所述Al柵極層研磨至目標(biāo)位置時(shí)，也執(zhí)行所述步驟S3和S4。

4.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，在所述第一化學(xué)機(jī)械研磨將所述Al柵極層研磨至目標(biāo)位置時(shí)，也執(zhí)行所述步驟S3和S4。

5.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述第一化學(xué)機(jī)械研磨、第二化學(xué)機(jī)械研磨和第三化學(xué)機(jī)械研磨分別在三個(gè)不同的研磨墊上進(jìn)行。

6.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述第一化學(xué)機(jī)械研磨、第二化學(xué)機(jī)械研磨和第三化學(xué)機(jī)械研磨的研磨速率依次減小。

7.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，使所述步驟S4中的晶圓解除卡緊的狀態(tài)保持1-8s。

8.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述步驟S4中的研磨液或研磨液和H₂O₂的混合液的流體壓力為1psi-20psi。

9.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其特征在于，所述步驟S4中的研磨液和H₂O₂的混合液的濃度為10％～100％。

10.一種化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，用于對(duì)晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備包括研磨臺(tái)、固定在所述研磨臺(tái)表面的研磨墊、固定所述晶圓并將所述晶圓按壓在所述研磨墊上的研磨頭和向研磨墊的表面噴灑清洗液的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置包括一個(gè)以上的噴頭，所述噴頭用于在晶圓解除卡緊時(shí)向研磨墊的表面噴灑研磨液或研磨液和H₂O₂的混合液作為所述清洗液以對(duì)所述研磨墊進(jìn)行清洗。

11.如權(quán)利要求10所述的化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備，其特征在于，所述噴頭向研磨墊的表面噴灑的研磨液或研磨液和H₂O₂的混合液的流體壓力為1psi-20psi。