[發明專利]像素驅動電路及其驅動方法、陣列基板、透反式顯示裝置有效
| 申請號: | 201410357298.1 | 申請日: | 2014-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN104200784B | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 楊盛際 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36;G02F1/1333;G02F1/133;G06F3/042 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 驅動 電路 及其 方法 陣列 反式 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括像素驅動電路,所述像素驅動電路的每個像素包括透射區和反射區,所述反射區內設置有反射結構;
所述像素驅動電路還包括:公共電極線,所述反射結構連接所述公共電極線;
所述像素驅動電路的包括光感觸控模塊的像素包括:第一薄膜晶體管和第一存儲電容,所述反射結構為所述第一存儲電容的第一極板;
所述像素驅動電路的包括光感觸控模塊的像素還包括:存儲電極,所述存儲電極與所述反射結構具有重疊部分,且所述存儲電極連接所述第一薄膜晶體管的漏極,所述存儲電極為所述第一存儲電容的第二極板。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述存儲電極位于所述反射結構的上方。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素為紅色像素、綠色像素或藍色像素,所述像素驅動電路的包括所述光感觸控模塊的像素為藍色像素。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素驅動電路,包括:呈矩陣式排布的多個像素;位于相鄰兩行所述像素之間的柵極線,至少一個所述像素包括:所述光感觸控模塊,所述光感觸控模塊包括:
感應光線強度,并產生攜帶所述光線強度信息的電信號的感光單元;
與所述感光單元相連的信號讀取單元,所述信號讀取單元受控于所述柵極線,在所述柵極線的驅動下開啟,從所述感光單元中讀取所述電信號;
與所述信號讀取單元相連的放大器,所述放大器從所述信號讀取單元中獲取所述電信號,并對所述電信號進行放大;
與所述放大器相連的處理器,所述處理器內存儲有電信號變化的閾值和前一時刻被放大的電信號,所述處理器從所述放大器中獲取當前時刻被放大的電信號,得到所述當前時刻被放大的電信號相對于所述前一時刻被放大的電信號的變化量,對比所述變化量與所述電信號變化的閾值,在所述變化量大于所述電信號變化的閾值時,獲取所述光感觸控模塊所在像素的位置信息,將所述位置信息作為觸摸的位置。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述感光單元受控于所述公共電極線。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述感光單元包括:
所述第一薄膜晶體管,所述第一薄膜晶體管的柵極連接所述公共電極線,源極連接所述公共電極線,漏極連接所述信號讀取單元;
所述第一存儲電容,所述第一存儲電容的第一端連接所述第一薄膜晶體管的源極,第二端連接所述薄膜晶體管的漏極。
7.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述像素驅動電路還包括:信號讀取線,所述信號讀取單元通過信號讀取線連接所述放大器。
8.根據權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述像素驅動電路包括:位于相鄰兩列所述像素之間的數據線,所述數據線與所述信號讀取線并排設置,或者,所述數據線中的至少一條作為所述信號讀取線。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,當所述數據線中的至少一條作為所述信號讀取線時,所述像素驅動電路還包括:
位于所述信號讀取單元與所述放大器之間的開關,所述開關僅在所述光感觸控模塊工作時開啟。
10.根據權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述信號讀取單元包括:
第二薄膜晶體管,所述第二薄膜晶體管的柵極連接所述柵極線,源極連接所述感光單元,漏極連接所述信號讀取線。
11.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述柵極線的編號依次為第一柵極線、第二柵極線、…、第M柵極線,所述像素驅動電路包括:位于相鄰兩列所述像素之間的數據線,所述數據線的編號依次為第一數據線、第二數據線、…、第N數據線,所述光感觸控模塊所在像素的位置信息包括:與所述光感觸控模塊所在像素相連的柵極線的編號和數據線的編號。
12.根據權利要求1~11任一項所述的陣列基板,其特征在于,包括所述光感觸控模塊的像素在所述像素驅動電路中均勻分布。
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