[發明專利]一種改善刻蝕副產物凝結缺陷的晶圓凈化腔在審
| 申請號: | 201410357204.0 | 申請日: | 2014-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN104078398A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發明(設計)人: | 范榮偉;陳宏璘;龍吟;顧曉芳;郭浩 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 刻蝕 副產物 凝結 缺陷 凈化 | ||
1.一種改善刻蝕副產物凝結缺陷的晶圓凈化腔,其特征在于,所述晶圓凈化腔包括:
腔體,所述腔體側壁設有一個提供所述晶圓進出的窗口,所述腔體具有可與外部刻蝕機臺腔體連通的接口;
噴射槍系統,包括設于所述腔體內的環繞所述腔體豎直中心的若干頂部噴射槍和若干側壁噴射槍,所述頂部噴射槍設于所述側壁噴射槍的上方,所述頂部噴射槍和側壁噴射槍分別通過活動支架連接所述腔體的側壁,所述活動支架可帶動所述頂部噴射槍、側壁噴射槍在所述腔體內運動,所述噴射槍連通外部凈化氣源,所述噴射槍系統可通過所述噴射槍以不同方向及可調整的角度和距離朝向放置在所述腔體內的所述晶圓同時噴射凈化氣體,對所述晶圓進行凈化處理,去除所述晶圓粘附的刻蝕副產物,以消除刻蝕副產物與水反應產生的凝結物缺陷;
晶圓支撐臺系統,包括設于所述腔體內的下方用于承載所述晶圓的晶圓支撐臺,所述晶圓支撐臺位于所述頂部噴射槍和所述側壁噴射槍的下方,所述晶圓支撐臺的下方中心設有轉軸,所述轉軸連接所述腔體外部的旋轉及移動機構;
抽氣系統,設于所述腔體上方外部,并通過抽氣管連通所述腔體內部,所述抽氣管一端從所述腔體的上方伸入所述腔體內部,另一端連通外部氣體回收裝置,所述抽氣系統通過所述抽氣管將所述腔體內的凈化后氣體及其攜帶的刻蝕副產物抽出,并排向所述氣體回收裝置。
2.如權利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述抽氣管在所述腔體內具有下大、上小平滑過渡的管徑,所述抽氣管的下端開口位于所述晶圓支撐臺的上方,并位于所述頂部噴射槍和所述側壁噴射槍的上方。
3.如權利要求1或2所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述晶圓支撐臺、所述抽氣管、所述腔體的豎直中心重合。
4.如權利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述頂部噴射槍按與所述晶圓支撐臺的垂直方向設于所述支撐臺的上方,并可通過所述活動支架調整與所述晶圓支撐臺之間的垂直距離和至所述晶圓支撐臺中心的水平距離。
5.如權利要求4所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述頂部噴射槍與所述晶圓支撐臺之間的垂直距離可在0~150毫米之間調整。
6.如權利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述側壁噴射槍按與所述晶圓支撐臺的傾斜方向設于所述支撐臺的上方,并可通過所述活動支架調整與所述晶圓支撐臺之間的傾斜噴射角和至所述晶圓支撐臺中心的水平距離。
7.如權利要求6所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述側壁噴射槍與所述晶圓支撐臺之間的傾斜噴射角可在0~90度之間調整。
8.如權利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述頂部噴射槍和側壁噴射槍按上下位置分別環繞所述腔體的豎直中心對稱且錯位設置。
9.如權利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述旋轉及移動機構通過所述轉軸帶動所述晶圓支撐臺在所述腔體內可同時作旋轉、上下及水平移動。
10.如權利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述腔體具有可與外部刻蝕機臺腔體連通的接口,所述接口為所述晶圓進出的窗口。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





