[發(fā)明專利]一種改善刻蝕副產(chǎn)物凝結(jié)缺陷的晶圓凈化腔在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410357204.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104078398A | 公開(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范榮偉;陳宏璘;龍吟;顧曉芳;郭浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 刻蝕 副產(chǎn)物 凝結(jié) 缺陷 凈化 | ||
1.一種改善刻蝕副產(chǎn)物凝結(jié)缺陷的晶圓凈化腔,其特征在于,所述晶圓凈化腔包括:
腔體,所述腔體側(cè)壁設(shè)有一個(gè)提供所述晶圓進(jìn)出的窗口,所述腔體具有可與外部刻蝕機(jī)臺(tái)腔體連通的接口;
噴射槍系統(tǒng),包括設(shè)于所述腔體內(nèi)的環(huán)繞所述腔體豎直中心的若干頂部噴射槍和若干側(cè)壁噴射槍,所述頂部噴射槍設(shè)于所述側(cè)壁噴射槍的上方,所述頂部噴射槍和側(cè)壁噴射槍分別通過(guò)活動(dòng)支架連接所述腔體的側(cè)壁,所述活動(dòng)支架可帶動(dòng)所述頂部噴射槍、側(cè)壁噴射槍在所述腔體內(nèi)運(yùn)動(dòng),所述噴射槍連通外部?jī)艋瘹庠矗鰢娚錁屜到y(tǒng)可通過(guò)所述噴射槍以不同方向及可調(diào)整的角度和距離朝向放置在所述腔體內(nèi)的所述晶圓同時(shí)噴射凈化氣體,對(duì)所述晶圓進(jìn)行凈化處理,去除所述晶圓粘附的刻蝕副產(chǎn)物,以消除刻蝕副產(chǎn)物與水反應(yīng)產(chǎn)生的凝結(jié)物缺陷;
晶圓支撐臺(tái)系統(tǒng),包括設(shè)于所述腔體內(nèi)的下方用于承載所述晶圓的晶圓支撐臺(tái),所述晶圓支撐臺(tái)位于所述頂部噴射槍和所述側(cè)壁噴射槍的下方,所述晶圓支撐臺(tái)的下方中心設(shè)有轉(zhuǎn)軸,所述轉(zhuǎn)軸連接所述腔體外部的旋轉(zhuǎn)及移動(dòng)機(jī)構(gòu);
抽氣系統(tǒng),設(shè)于所述腔體上方外部,并通過(guò)抽氣管連通所述腔體內(nèi)部,所述抽氣管一端從所述腔體的上方伸入所述腔體內(nèi)部,另一端連通外部氣體回收裝置,所述抽氣系統(tǒng)通過(guò)所述抽氣管將所述腔體內(nèi)的凈化后氣體及其攜帶的刻蝕副產(chǎn)物抽出,并排向所述氣體回收裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述抽氣管在所述腔體內(nèi)具有下大、上小平滑過(guò)渡的管徑,所述抽氣管的下端開口位于所述晶圓支撐臺(tái)的上方,并位于所述頂部噴射槍和所述側(cè)壁噴射槍的上方。
3.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述晶圓支撐臺(tái)、所述抽氣管、所述腔體的豎直中心重合。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述頂部噴射槍按與所述晶圓支撐臺(tái)的垂直方向設(shè)于所述支撐臺(tái)的上方,并可通過(guò)所述活動(dòng)支架調(diào)整與所述晶圓支撐臺(tái)之間的垂直距離和至所述晶圓支撐臺(tái)中心的水平距離。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述頂部噴射槍與所述晶圓支撐臺(tái)之間的垂直距離可在0~150毫米之間調(diào)整。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述側(cè)壁噴射槍按與所述晶圓支撐臺(tái)的傾斜方向設(shè)于所述支撐臺(tái)的上方,并可通過(guò)所述活動(dòng)支架調(diào)整與所述晶圓支撐臺(tái)之間的傾斜噴射角和至所述晶圓支撐臺(tái)中心的水平距離。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述側(cè)壁噴射槍與所述晶圓支撐臺(tái)之間的傾斜噴射角可在0~90度之間調(diào)整。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述頂部噴射槍和側(cè)壁噴射槍按上下位置分別環(huán)繞所述腔體的豎直中心對(duì)稱且錯(cuò)位設(shè)置。
9.如權(quán)利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)及移動(dòng)機(jī)構(gòu)通過(guò)所述轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述晶圓支撐臺(tái)在所述腔體內(nèi)可同時(shí)作旋轉(zhuǎn)、上下及水平移動(dòng)。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓凈化腔,其特征在于,所述腔體具有可與外部刻蝕機(jī)臺(tái)腔體連通的接口,所述接口為所述晶圓進(jìn)出的窗口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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