[發明專利]一種消除連接孔刻蝕副產物凝結缺陷的晶圓凈化設備在審
| 申請號: | 201410357115.6 | 申請日: | 2014-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN104091776A | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發明(設計)人: | 范榮偉;陳宏璘;龍吟;顧曉芳;王愷 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 消除 連接 刻蝕 副產物 凝結 缺陷 凈化 設備 | ||
1.一種消除連接孔刻蝕副產物凝結缺陷的晶圓凈化設備,其特征在于,所述晶圓凈化設備用于在所述晶圓進行連接孔刻蝕后、進行清洗之前,對所述晶圓進行凈化處理,去除所述晶圓粘附的刻蝕副產物,以消除刻蝕副產物與水反應產生的凝結物缺陷,所述晶圓凈化設備包括:
腔體,所述腔體形成用于所述晶圓凈化的密閉空間,所述腔體具有穹頂形狀的上方內壁,所述腔體設有所述晶圓的傳輸窗口;
噴射槍,包括活動設于所述腔體內上方的一頂部噴射槍和設于所述腔體內側面的一側壁噴射槍,所述噴射槍連通所述凈化設備外部的凈化氣源,所述頂部噴射槍和所述側壁噴射槍按不同的方向設置,可分別從不同方向向放置在所述腔體內的所述晶圓噴射凈化氣體,對所述晶圓進行凈化處理;所述噴射槍設有氣體攪動裝置或噴嘴;
晶圓支撐臺,轉動設于所述腔體內下方,用于承載所述晶圓,所述支撐臺位于所述頂部噴射槍和所述側壁噴射槍的下方;
抽氣管,所述抽氣管的抽氣口設于所述腔體上方內壁的中心部位,并與所述腔體內壁平齊,所述抽氣管連通所述凈化設備外部的氣體回收裝置,所述抽氣管可將所述腔體內的凈化后氣體及其攜帶的刻蝕副產物抽出,并排向所述氣體回收裝置。
2.如權利要求1所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述晶圓的傳輸窗口設于所述腔體的側壁,包括輸入窗口和輸出窗口。
3.如權利要求1所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述頂部噴射槍、側壁噴射槍分設于所述腔體內相對側的上方和側面,其在所述腔體內的位置及角度可調節。
4.如權利要求1所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述頂部噴射槍垂直于所述支撐臺設置,并可調整與所述支撐臺之間的距離。
5.如權利要求4所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述頂部噴射槍垂直設于所述支撐臺中心的上方,并可調整與所述支撐臺之間的距離。
6.如權利要求1所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述側壁噴射槍傾斜于所述支撐臺設置,并可調整與所述支撐臺之間的噴射角度。
7.如權利要求1、3~6任意一項所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述噴射槍設有壓力及流量調節裝置。
8.如權利要求1、3~6任意一項所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述噴射槍的噴管內設有一至多個氣體攪動裝置,所述氣體攪動裝置包括一順所述凈化氣體流向設置的螺旋狀葉片,所述螺旋狀葉片轉動連接所述噴射槍的噴管內壁,當所述噴射槍的噴管內通有所述凈化氣體時,所述螺旋狀葉片可在所述凈化氣體的沖擊下旋轉,使所述凈化氣體在通過所述螺旋狀葉片后由平行狀氣流轉變為旋轉狀氣流噴出。
9.如權利要求1、3~6任意一項所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述噴射槍設有噴嘴,所述噴嘴具有收縮的噴口或花灑形的噴口。
10.如權利要求1所述的晶圓凈化設備,其特征在于,所述支撐臺具有承載所述晶圓的水平臺面,所述支撐臺可轉動,并可在垂直方向上下移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





