[發(fā)明專利]一種改善GaN基LED效率下降的外延結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410356966.9 | 申請(qǐng)日： | 2014-07-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104134732A | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 琚晶;馬后永;李起鳴;徐慧文;孫傳平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 映瑞光電科技（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/26 | 分類號(hào)： | H01L33/26;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 gan led 效率 下降 外延 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種改善GaN基LED效率下降的外延結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括襯底和依次堆疊在襯底上的GaN底層、超晶格應(yīng)力釋放層、多量子阱層、P型InGaN插入層、P型電子阻擋層以及P型GaN層。
2.如權(quán)利要求1所述的改善GaN基LED效率下降的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型InGaN插入層為脈沖式Mg摻雜，In的組分從0％至7％漸變；所述P型InGaN插入層的厚度為3nm～12nm，Mg摻雜濃度范圍是1e18cm-3～1e19cm-3。
3.如權(quán)利要求1所述的改善GaN基LED效率下降的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子阻擋層為pAlGaN、或者由pAlGaN/pGaN組成的超晶格結(jié)構(gòu)，所述電子阻擋層的厚度為30～80nm。
4.如權(quán)利要求1所述的改善GaN基LED效率下降的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型GaN層中鎂的摻雜濃度范圍是1e19cm-3～6e20cm-3，所述P型GaN層的厚度為30nm～50nm。
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