[發明專利]絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201410356503.2
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN104167356B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發明（設計）人: 張煒;韓雁;張斌
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司33200
• 代理人: 林松海

1.一種絕緣柵雙極型晶體管的制備方法，其特征在于：

所述的絕緣柵雙極型晶體管，包括N型基區、P型基區、背P+集電極區、N+發射極區、柵氧化層、發射極、柵電極和集電極；所述的N型基區包括依次層疊的N+擴散殘留層、N-基區和N+緩沖層，所述的N+擴散殘留層和N+緩沖層從N-基區的邊界起始向外摻雜濃度逐漸增加，其特征在于：所述的絕緣柵雙極型晶體管進一步設有P-緩沖層、背N+集電極區，所述的P-緩沖層位于N+緩沖層和背P+集電極區之間，所述的背N+集電極區位于背P+集電極區的兩端；所述的N-基區摻雜濃度為恒定的；

所述的制備方法包括：

（1）在N型單晶硅兩側通過高溫擴散分別形成第一N+擴散區和第二N+擴散區；

（2）分別對第一N+擴散區和第二N+擴散區進行加工形成N+擴散殘留層和N+

緩沖層；

（3）在N+擴散殘留層上形成P型基區、N+發射極區、發射極；

（4）在N+緩沖層上通過注入離子形成P-緩沖層、背P+集電極區、背N+集電極區，背P+集電極區與背N+集電極區金屬化后形成集電極；

所述的N+緩沖層是對第二N+擴散區使用減薄工藝制得的。