[發明專利]一種高電阻率稀土鐵系R?Fe?B磁體及其制備方法有效
| 申請號: | 201410356469.9 | 申請日: | 2014-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN104167271B | 公開(公告)日: | 2017-07-21 |
| 發明(設計)人: | 王永東;彭磊;向春濤;陳靜武;黃秀蓮;衣曉飛;熊永飛 | 申請(專利權)人: | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F1/057 | 分類號: | H01F1/057;H01F41/02;B22F3/16 |
| 代理公司: | 合肥天明專利事務所(普通合伙)34115 | 代理人: | 孫永剛 |
| 地址: | 231500 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電阻率 稀土 fe 磁體 及其 制備 方法 | ||
1.高電阻率稀土鐵系R-Fe-B 磁體的制備方法,包括將原料磁體制成磁體粉末的步驟一、將磁體粉末進行取向壓型得到壓坯的步驟二以及將壓坯置入真空燒結爐內燒結獲得燒結磁體的步驟三,其特征在于,在進行步驟二的過程中,先向模腔中裝入磁粉層,再向該磁粉層的表面裝入氧化物或氟化物等的微粉層,如此往復地裝料完畢后再進行常規的取向壓制;所述高電阻率稀土鐵系R-Fe-B 磁體,其由若干層稀土鐵系的磁粉與若干薄層氧化物或氟化物的微粉交替填充壓合構成的夾芯結構,所述夾芯結構的主結構層為磁粉層;所述微粉薄層為稀土元素、Al、Zr、Ti、Nb、Hf或半導體元素的氧化物或者氟化物。
2.如權利要求1所述高電阻率稀土鐵系R-Fe-B 磁體的制備方法,其特征在于,步驟一所述磁體粉末平均粒徑2-5微米,步驟二所述微粉平均粒徑1-3微米。
3.如權利要求1所述高電阻率稀土鐵系R-Fe-B 磁體的制備方法,其特征在于,步驟二所裝入的磁粉層厚度2-6mm,微粉層厚度3-6微米。
4.如權利要求1所述高電阻率稀土鐵系R-Fe-B 磁體的制備方法,其特征在于,步驟二所述氧化物或氟化物層通過惰性氣體噴槍噴入。
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