[發明專利]刻蝕裝置及刻蝕方法

在審

• 申請號: 201410356255.1
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN105336563A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 張君;劉利堅;謝秋實;李東三
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種刻蝕裝置，其特征在于，包括：

反應腔；

晶圓固定裝置，所述晶圓固定裝置用于將晶圓固定在所述反應腔的頂部且所述晶圓的待刻蝕面朝向所述反應腔的底部；

氣體注入口，所述氣體注入口設置在所述反應腔底部，用于向所述反應腔通入刻蝕氣體；

激勵線圈，所述激勵線圈環繞所述反應腔設置，用于將所述刻蝕氣體激發成等離子體；以及

偏壓提供裝置，所述偏壓提供裝置與所述晶圓固定裝置相連，用于對所述晶圓固定裝置中的晶圓施加偏壓。

2.根據權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述晶圓的待刻蝕面具有Au、Ag、Pt、Cu或In材料。

3.根據權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述晶圓固定裝置為卡盤和/或機械壓環。

4.根據權利要求3所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述卡盤為靜電卡盤或卡爪卡盤。

5.根據權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，所述晶圓固定裝置包括加熱器，所述加熱器設置在所述晶圓固定裝置內部用于加熱所述晶圓。

6.根據權利要求5所述的刻蝕裝置，其特征在于，還包括：

導熱氣體注入裝置，所述導熱氣體注入裝置用于向所述晶圓固定裝置和所述晶圓之間注入導熱氣體，以使所述晶圓受熱均勻。

7.根據權利要求1所述的刻蝕裝置，其特征在于，還包括：

設置在反應腔的腔壁上的磁鐵，所述磁鐵用于控制所述反應腔內的等離子體濃度分布。

8.一種刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供晶圓，將所述晶圓以待刻蝕面朝下的方式固定在反應腔的頂部；

從所述晶圓的下方向所述反應腔通入刻蝕氣體；以及

將所述刻蝕氣體激發成等離子體后在電場作用下由下至上地對所述晶圓的待刻蝕面進行轟擊以進行刻蝕。

9.根據權利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，所述晶圓的表面具有Au、Ag、Pt、Cu或In材料。

10.根據權利要求8所述的刻蝕方法，其特征在于，還包括：

在刻蝕的過程中對所述晶圓加熱。