[發明專利]近場用電波吸收片

有效

• 申請號: 201410355998.7
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104470341B
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發明（設計）人: 蔵前雅規
• 申請（專利權）人: 株式會社理研
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H01F1/147
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,吳孟秋

技術領域

本發明涉及為了抑制電子設備或者通信設備中的多余的輻射電波而被使用的近場用電波吸收片。

背景技術

近年來，隨著電子設備和通信設備的小型化、輕量化，被安裝于電子電路上的部件的安裝密度也在提高。因此，起因于從電子部件輻射的電波，在電子部件彼此之間或者電子電路彼此之間產生電波干涉，由此引起的電子設備等的誤動作成為問題。

為了防止該問題，將多余的輻射電波轉換為熱的近場用的電波吸收片已經被安裝于電子設備等中。該電波吸收片的厚度為0.1mm～2mm，因而能夠插入至電子部件或者電子電路附近，加工容易且形狀自由度也高。因此，電波吸收片能夠適應于電子設備等的小型化、輕量化，作為電子設備等的防抗噪聲部件，正在被廣泛地應用。

典型的電波吸收片是由被加工成扁平狀的軟磁性金屬粉末和樹脂組成，利用軟磁性金屬粉末的磁損將電波轉換為熱的構造。所以，電波吸收片的電波吸收性能依賴于軟磁性金屬粉末的磁導率。一般而言，磁導率使用實部磁導率μ’和虛數部磁導率μ”而由復數磁導率μ＝μ’-j·μ”來表示，但在如電波吸收片這樣的利用磁損的情況下，虛數部磁導率μ”變為重要。即，在遍及于想要吸收的電波噪聲的頻帶上，分布虛數部磁導率μ”是重要的。以下，在本說明書中，將虛數部磁導率μ”相對于頻率的分布稱為“μ”分散”。

在專利文獻1中，記載有由由FeCoMo合金、FeCoNb合金、或者FeCoV合金的3元素系的合金組成的粉末和樹脂構成的電波吸收片。此外，在專利文獻2中，作為使用了2元素系的合金的示例，記載有由Fe－50Ni合金和樹脂構成的電波吸收片。

近年來，電子設備等的高性能化正在快速地推進，所使用的頻率具有越來越高的傾向。例如，在個人電腦中，要求進一步的高速化，CPU的驅動頻率就要達到GHz帶。在無線LAN等通信設備中，處理的數字內容的容量增大，通信頻率也以GHz帶為中心。而且，數值電視廣播、道路交通信息系統等衛星通信也快速擴大，泛在網絡時代正在實現。一方面進行這種信息通信設備等的多功能化和融合，而另一方面，從電子設備、通信設備等輻射的多余的電波的頻率也變高，由該輻射電波所引起的功能干涉和誤動作也比以前增加而讓人擔心。因此，一直希望開發能夠有效地吸收GHz波段的電波的電波吸收片。

然而，在現狀中，μ”分散從GHz波段上升的電波吸收片尚未得到。在專利文獻1以及2記載的技術中，μ”分散也是在MHz波段上上升，臨近于GHz波段的程度。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開平10-106814號公報

專利文獻2：特開2002-134309號公報

發明內容

發明要解決的課題

因此，本發明鑒于上述課題，其目的在于，提供虛數部磁導率μ”的分布從GHz波段上升的近場用電波吸收片。

解決課題的手段

為了達到上述目的，本發明人專心研究，得到了以下的見解。作為用于電波吸收片的軟磁性金屬粉末，飽和磁化高的軟磁性金屬粉末具有μ”分散的上升沿也向高頻側移動的趨勢。因此，本發明人研究了把作為單體金屬顯示最高的飽和磁化的Fe用作軟磁性金屬粉末的情況。但是，如果再進行研究，則就會發現：如果以比現有少的比例(具體而言，40％以下)用飽和磁化比Fe低的Co和/或Ni取代Fe的一部分，則μ”分散的上升沿前所未有地向高頻側移動。

即，本發明的近場用電波吸收片的特征在于：含有扁平狀的FeCo合金粉末和樹脂，所述FeCo合金粉末的組成是在Fe_100－xCo_x中為0.1≤x≤40。

本發明的又一近場用電波吸收片的特征在于：含有扁平狀的FeNi合金粉末和樹脂，所述FeNi合金粉末的組成是在Fe_100－yNi_y中為0.1≤y≤40。

本發明的再一近場用電波吸收片的特征在于：含有扁平狀的FeCoNi合金粉末和樹脂，所述FeCoNi合金粉末的組成是在Fe_100－z(CoNi)_z中為0.1≤z≤40。

本發明的再一近場用電波吸收片的特征在于：含有將所述FeCo合金粉末、所述FeNi合金粉末、所述FeCoNi合金粉末以及扁平狀的Fe粉末中的至少2種以上混合而得的混合粉末和樹脂。

發明效果

在本發明的近場用電波吸收片中，虛數部磁導率μ”的分布從GHz波段上升。

具體實施方式