[發明專利]一種無襯底LED芯片的電極結構無效
| 申請號： | 201410355924.3 | 申請日： | 2014-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN104143598A | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 李媛 | 申請（專利權）人： | 李媛 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 529100 廣東省江*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 led 芯片 電極 結構 | ||
1.一種無襯底LED芯片的電極結構，包括N型半導體層，層疊于N型半導體層上的發光層和層疊于發光層上的P型半導體層，N型半導體層和P型半導體層兩側的面為芯片的出光面，位于出光面側邊的其余面為芯片的側面，與N型半導體層電接觸的N型電極和與P型半導體層電接觸的P型電極，其特征在于：所述N型電極和P型電極至少一個電極設置在所述芯片的側面上，該設置在芯片側面的N型電極和/或P型電極與芯片側面間設置有絕緣層。
2.根據要求1所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：N型電極和P型電極都設置在所述芯片的側面上。
3.根據要求2所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N型電極和P型電極設置在芯片的同一側面上。
4.根據要求2所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N型電極和P型電極分別設置在芯片相對的兩側面上。
5.根據要求1所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：僅P型電極或N電極之一設置在所述芯片的側面上，另一電極設置在相應的半導體層上。
6.根據要求1所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：所述設置在芯片側面的電極上還設置有圍繞芯片的其他側面，并與其他側面相應的半導體層電接觸的導電層。
7.根據要求1所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：所述P型半導體層和/或N型半導體層上還設置有電流擴散層。
8.根據要求1所述的一種無襯底LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N型半導體層或P半導體層上設置有光反射層。
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