[發明專利]一種具有不導電襯底的LED芯片電極結構有效
| 申請號： | 201410355837.8 | 申請日： | 2014-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN104157767B | 公開（公告）日： | 2017-07-14 |
| 發明（設計）人： | 李媛 | 申請（專利權）人： | 李媛 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 529100 廣東省江*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 導電 襯底 led 芯片 電極 結構 | ||
1.一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，包括藍寶石襯底，層疊于藍寶石襯底上的N型半導體層，層疊于N型半導體層上的發光層和層疊于發光層上的P型半導體層，芯片的藍寶石襯底和P型半導體層兩側的面為芯片的出光面，位于出光面側邊的其余面為芯片的側面；其特征在于：在所述側面上設置有與N型半導體層電接觸的N型電極和與P型半導體層電接觸的P型電極，所述N型電極與發光層側面和P型半導體層側面之間設置有絕緣層，所述P型電極與發光層側面和N型半導體層側面之間設置有絕緣層，所述的N型電極還設置有圍繞芯片的其他側面，并與其他側面的N型半導體層電接觸的N極導電層；所述P型電極還設置有圍繞芯片的其他側面，并與其他側面的P型半導體層電接觸的P極導電層。
2.根據要求1所述的一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N型電極和P型電極位于芯片的同一側面上。
3.根據要求2所述的一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，其特征在于：所述P型半導體層上還設置有電流擴散層，所述P型電極及P極導電層通過所述電流擴散層與所述P型半導體層電接觸。
4.根據要求3所述的一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N型半導體層上還設置有電流擴散層，所述N型電極及N極導電層通過所述電流擴散層與所述N型半導體層電接觸。
5.根據要求1所述的一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，其特征在于：所述P型半導體層上還設置有電流擴散層，所述P型電極通過所述電流擴散層與所述P型半導體層電接觸。
6.根據要求5所述的一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N半導體層上還設置有電流擴散層，所述N型電極通過所述電流擴散層與所述的N型半導體層電接觸。
7.根據要求1所述的一種具有不導電襯底的LED芯片的電極結構，其特征在于：所述N型半導體層或P型半導體層上設置有光反射層。
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