[發明專利]一種應用于大電流穩壓器和充電器中的溫度線性補償電路在審
| 申請號: | 201410355798.1 | 申請日: | 2014-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN105278607A | 公開(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發明(設計)人: | 王冬峰;劉桂芝;馬丙乾;吳國平 | 申請(專利權)人: | 無錫麟力科技有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 電流 穩壓器 充電器 中的 溫度 線性 補償 電路 | ||
技術領域
本發明涉及補償電路,具體涉及一種應用于大電流穩壓器和充電器中的溫度線性補償電路。
背景技術
在各類穩壓器和充電器設計中,溫度保護模塊一般采用數字處理方式,當溫度升高并超過保護點時,以邏輯方式直接關閉功率通路或者降低輸入功率,當溫度降低時再放開功率限制。此類方法的缺點是不能最大化使用輸入功率。又因為溫度保護點一般設計中取值較高,在負載功率較大時,芯片可能在距離保護點很近的高溫環境下工作,在手持式設備中,這個問題往往有很大的安全隱患。
發明內容
本發明針對現有技術中的不足,提供一種應用于大電流穩壓器和充電器中的溫度線性補償電路。
本發明是通過以下的技術方案實現的:一種應用于大電流穩壓器和充電器中的溫度線性補償電路,包括PMOSFET和NMOSFET,所述PMOSFET,NMOSFET連接二極管、基準電壓、電流源。
本發明的優點在于:根據芯片結溫自適應調節輸入電流,無需其他控制端口。
附圖說明
圖1為本發明的結構示意圖;
圖2為IOUT隨溫度變化示意圖;
圖中:M1/2/3/4/8/9為PMOSFET,M5/6/7為NMOSFET,D1為二極管,VR為基準電壓,IS1/2/3為電流源。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明作進一步說明。
如圖1、圖2所示,一種應用于大電流穩壓器和充電器中的溫度線性補償電路,包括PMOSFET和NMOSFET,所述PMOSFET,NMOSFET連接二極管、基準電壓、電流源。
本發明適合用于各類穩壓器和充電器的溫度控制設計中,利用芯片結溫的線性變換,控制芯片輸入電流隨結溫的上升而下降,芯片達到一個動態的熱平衡狀態。確保最大負載條件下的芯片工作溫度達到設計要求,最大化利用輸入電流給負載提供功率。在既定電流IS1條件下,二極管壓降VD為既定值,且VD隨溫度升高而線性降低。隨著溫度升高,VD接近VR,M1/2和M3/4取合適的寬長比就可以工作在線性區,流過M6的電流記為I_SENSE,。將IOUT作用于穩壓器輸入電流限制的設計中,設計為輸入電流隨IOUT增大而減小。
以上所述的僅是本發明一優選實施方式,應當指出,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明創造構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發明的保護范圍。
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