[發(fā)明專利]打印元件基板、打印頭和打印裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410355480.3
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104339868A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 遠(yuǎn)藤航;高木誠;大村昌伸
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 宋巖

1.一種打印元件基板，包括：

打印元件；

具有漏極端子、源極端子和背柵端子的MOS晶體管，漏極端子連接到用于接受第一電壓的第一電源節(jié)點，且源極端子和背柵端子連接到打印元件；和

包括與第一電源節(jié)點不同的第二電源節(jié)點且被配置成向MOS晶體管的柵極端子供給第二電壓的單元，

其中，當(dāng)?shù)谝浑妷翰槐还┙o第一電源節(jié)點時，所述單元控制柵極端子和漏極端子中的至少一個的電位以使得柵極端子和漏極端子之間的電位差變得比第二電壓低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

所述單元還包括

連接到第二電源節(jié)點并且被配置成向MOS晶體管的柵極端子輸出第二電壓的信號的電平移位器，

配置成接受第三電壓的第三電源節(jié)點，和

配置成利用第三電壓來生成待供給第二電源節(jié)點的電壓的電壓生成單元，并且

當(dāng)?shù)谝浑妷翰槐还┙o第一電源節(jié)點時，所述單元控制電壓生成單元進(jìn)入睡眠狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其中

所述單元包括n溝道晶體管和電阻元件，

n溝道晶體管的漏極端子連接到第三電源節(jié)點，并且n溝道晶體管的柵極端子連接到第一電源節(jié)點，并且

電阻元件布置在接地節(jié)點和n溝道晶體管的源極端子之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

所述單元包括配置成將第一電源節(jié)點和第二電源節(jié)點相互連接的二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板，其中

第二電源節(jié)點連接到MOS晶體管的柵極端子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

所述單元包括

連接到第二電源節(jié)點且被配置成向MOS晶體管的柵極端子輸出第二電壓的信號的電平移位器，

配置成接受第三電壓的第三電源節(jié)點，和

配置成利用第三電壓來生成待供給第二電源節(jié)點的電壓的電壓生成單元，

其中，所述單元包括配置成將第一電源節(jié)點和第三電源節(jié)點相互連接的二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

所述單元包括配置成將第一電源節(jié)點和第二電源節(jié)點相互連接的連接晶體管，并且

當(dāng)?shù)谝浑妷翰槐还┙o時，所述單元將連接晶體管控制成是導(dǎo)通的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板，其中

所述單元包括n溝道晶體管和電阻元件，

n溝道晶體管的源極端子連接到接地節(jié)點，

n溝道晶體管的柵極端子連接到第一電源節(jié)點，并且

電阻元件布置在第二電源節(jié)點和n溝道晶體管的漏極端子之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

MOS晶體管作為源極跟隨器工作。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，還包括

具有連接到打印元件的漏極端子和連接到接地節(jié)點的源極端子的第二MOS晶體管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

當(dāng)?shù)谝浑妷罕还┙o時，所述單元向MOS晶體管的柵極端子輸出使MOS晶體管不導(dǎo)通的非活動信號。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

MOS晶體管由DMOS晶體管形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中，打印元件基板包括多個打印元件。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其中

具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在基板中，

具有第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)中，

漏極端子的具有第一導(dǎo)電類型的漏極半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)中，

源極端子的具有第一導(dǎo)電類型的源極半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在第二半導(dǎo)體區(qū)中，

第一場區(qū)設(shè)置在漏極半導(dǎo)體區(qū)和源極半導(dǎo)體區(qū)之間，

柵極電極設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)的一部分上、第二半導(dǎo)體區(qū)的一部分上以及第一場區(qū)的一部分上。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板，其中

具有第二導(dǎo)電類型的背柵半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置在第二半導(dǎo)體區(qū)中，并且

第二場區(qū)設(shè)置在源極半導(dǎo)體區(qū)和背柵半導(dǎo)體區(qū)之間。