[發明專利]一種低損耗整流電路

有效

• 申請號: 201410354732.0
• 申請日: 2014-07-24
• 公開（公告）號: CN104092389A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發明（設計）人: 陳纓;彭倩;劉亞東;曹永興;代杰杰;唐勇;李玨龍;胡赟;劉嘉美;陳佳俊
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網四川省電力公司電力科學研究院;上海交通大學
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M7/00
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 梁田

1.一種低損耗整流電路，用于將交流輸入信號整流變換為直流輸出信號，包括第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管，其中第一二極管的負極與第二二極管的正極相連，第二二極管的負極與第三二極管的負極相連，第三二極管的正極與第四二極管的負極相連，第四二極管的正極相連與第一二極管的正極相連，其中第一二極管的負極和第四二極管的負極連接交流輸入端，第一二極管的正極和第二二極管的負極連接直流輸出端；其特征在于，還包括：

第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET，其分別與第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管對應并聯；

邏輯控制模塊，所述邏輯控制模塊根據接收自交流輸入端的交流信號，輸出邏輯控制信號來控制各MOSFET的導通和截斷，以使各MOSFET在導通的狀態下替代與其對應并聯的二極管作為整流變換信號的通道；所述邏輯控制模塊包括：

信號分壓器，其輸入端連接所述交流輸入端，所述信號分壓器將交流輸入端輸入的交流電壓分壓為可供下述比較電路處理的電壓后輸出；

????比較電路，其與信號分壓器的輸出端連接，所述比較電路將接收自信號分壓器輸出端的交流信號轉換為控制信號輸出；?

????反向器，其輸入端連接比較電路的輸出端；

第一三態控制門、第二三態控制門、第三三態控制門和第四三態控制門，所述各三態控制門的輸入端和控制端還均分別與比較電路的輸出端和反向器的輸出端連接，所述第一三態控制門、第二三態控制門、第三三態控制門和第四三態控制門的輸出端分別與所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的柵極對應連接，輸出所述邏輯控制信號以分別對應控制各MOSFET的導通和截斷。

2.如權利要求1所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述直流輸出端與邏輯控制模塊連接，以為邏輯控制模塊供電。

3.如權利要求1所述的低損耗整流電路，其特征在于，還包括直流電源，其與邏輯控制模塊連接，以為邏輯控制模塊供電。

4.如權利要求1所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述信號分壓器至少包括串聯連接的第一電阻和第二電阻，第一電阻和第二電阻串聯連接后連接于所述交流輸入端，所述信號分壓器的輸出端連接于第一電阻和第二電阻之間。

5.如權利要求1所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述比較電路包括反向比較器，所述反向比較器的反向輸入端連接信號分壓器的輸出端，反向比較器的同相輸入端連接比較基準信號；反向比較器的輸出端為所述比較電路的輸出端。

6.如權利要求5所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述比較電路還包括第三電阻和第四電阻；所述第三電阻的一端連接至反向比較器的同相輸入端，所述第三電阻的另一端連接于反向比較器的輸出端；所述第四電阻的一端連接于反向比較器的同相輸入端，所述第四電阻的另一端接地。

7.如權利要求1所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述MOSFET的柵極和源極之間或柵極和漏極之間連接有電阻。

8.如權利要求1所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述第一MOSFET和第四MOSFET為N溝道MOSFET，所述第二MOSFET和第三MOSFET為P溝道MOSFET；第一MOSFET和第二MOSFET的漏極分別接第一二極管和第二二極管的負極，第三MOSFET和第四MOSFET的漏極分別接第三二極管和第四二極管的正極；第一MOSFET和第二MOSFET的源極分別接第一二極管和第二二極管的正極，第三MOSFET和第四MOSFET的源極分別接第三二極管和第四二極管的負極。

9.如權利要求8所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述第一MOSFET和第三MOSFET的柵極和漏極之間分別連接有電阻，第二MOSFET和第四MOSFET的柵極和源極之間分別連接有電阻。

10.如權利要求9所述的低損耗整流電路，其特征在于，所述各三態控制門的輸入端和控制端與比較電路的輸出端和反向器的輸出端的連接結構為：第一三態控制門和第三三態控制門的輸入端均與反向器的輸出端連接，第一三態控制門和第三三態控制門的控制端均與比較電路的輸出端連接，第二三態控制門和第四三態控制門的輸入端均與比較電路的輸出端連接，第二三態控制門和第四三態控制門的控制端均與反向器的輸出端連接。