[發明專利]一種超聲用酒精回收利用冷凝系統有效
| 申請號: | 201410354639.X | 申請日: | 2014-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN104241170B | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發明(設計)人: | 蔡彤;張練佳;賁海蛟;梅余鋒 | 申請(專利權)人: | 如皋市易達電子有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超聲 酒精 回收 利用 冷凝 系統 | ||
技術領域
本發明涉及一種電子領域,特別涉及一種超聲用酒精回收利用冷凝系統。
背景技術
二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管;它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件,具有按照外加電壓的方向,使電流流動或不流動的性質。晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。
二極管組成依次包括引腳、硅片、焊片、引腳,焊片與硅片之間通過黑色固化層固定;在組裝之前,需要用酒精對焊片以及硅片進行清洗,使二極管具有良好的性能,而生產過程中,清洗好后的酒精廢液暴露在空氣中,從而使得了酒精的揮發,照成了酒精溶液的浪費。
因此研發一種超聲清洗用酒精回收利用冷凝裝置勢在必行。經檢索有關文獻,未發現與本發明相同或相似的技術方案。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供操作簡單、酒精回收率高的一種超聲清洗用酒精回收利用冷凝系統。
為解決上述技術問題,本發明的技術方案為:一種超聲用酒精回收利用冷凝系統,其創新點在于:包括廢料清洗裝置、酒精冷凝裝置及冷卻裝置;所述廢料清洗裝置、酒精冷凝裝置、冷卻裝置三者分別通過管道連接;
所述廢料清洗裝置包括廢料反應桶、進料裝置;所述進料裝置設置在廢料反應桶的上部;所述冷卻夾層設置在反應桶的底部;
所述酒精冷凝裝置包括冷凝管、導管、酒精儲存裝置;所述導管設置在冷凝管的內部;所述酒精儲存裝置安裝在冷凝管的下方;所述冷凝管與酒精儲存裝置通過冷凝管道連接;
所述冷卻裝置包括冷卻池。
進一步的,所述廢料清洗裝置的底部還設置有冷凝夾層以及廢料出料口。
進一步的,所述冷凝管側邊設置有A、B、C三個管道接口;所述A管道接口為酒精進料接口;所述B管道接口為冷卻水進料口;所述C管道接口為冷卻水出料口。
進一步的,所述進料裝置包括電機A、料箱、攪龍以及料位傳感器;所述攪龍安裝在料箱的底部;所述料位傳感器設置在機架的上端;所述料位傳感器用于檢測料箱內料的高度;所述攪龍通過電機A驅動。
進一步的,所述料位傳感器包括探頭、升降機構、電機B以及控制開關;所述探頭安裝在升降機構的底端;且該升降機構通過電機B驅動。
進一步的,所述酒精儲存裝置底部設置有酒精出料口。
本發明的優點在于:
1.進料裝置中投放有生石灰粉末,電機轉動帶動攪龍運動,料位傳感器用于檢測料箱中料的高度,通過控制料高來達到進給料的多少,通過人工控制操作,來實現進料裝置中的料量,節約了成本。
2.酒精冷凝裝置利用下進上出的原理,當熱的氣體或液體從上往下流時,溫度越來越低,而水的溫度也越來越低,從而能一直都有很好的溫差,散熱效果好。
3.冷凝之后的水通過管道C流入冷卻池,在整套裝置中,降低了水的消耗。
附圖說明
圖1為本發明超聲清洗用酒精回收利用冷凝系統的主視圖。
圖2為本發明超聲清洗用酒精回收利用冷凝系統進料裝置的結構示意圖。
具體實施內容
實施例1
圖1所示,本發明一種超聲清洗用酒精回收利用冷凝系統,包括廢料清洗裝置1、酒精冷凝裝置2及冷卻裝置3;廢料清洗裝置1、酒精冷凝裝置2、冷卻裝置3三者分別通過管道連接;廢料清洗裝置1包括廢料反應桶17、進料裝置6;進料裝置6設置在廢料反應桶的上部;冷卻夾層4設置在反應桶的底部;酒精冷凝裝置2包括冷凝管18、導管7、酒精儲存裝置5;導管7設置在冷凝管18的內部;酒精儲存裝置5安裝在冷凝管18的下方;冷凝管18與酒精儲存裝置5通過冷凝管道連接;冷卻裝置3包括冷卻池。
冷凝管18側邊設置有A、B、C三個管道接口;A15管道接口為酒精進料接口;B14管道接口為冷卻水進料口;C16管道接口為冷卻水出料口。
圖2所示,進料裝置包括電機13、料箱8、攪龍12以及料位傳感器;攪龍12安裝在料箱的底部;料位傳感器設置在機架的上端;料位傳感器用于檢測料箱內料的高度;攪龍12通過電機A驅動,料位傳感器包括探頭9、升降機構10、電機B以及控制開關11;探頭安裝在升降機構的底端;且該升降機構通過電機B驅動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





